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超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一,它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层,突破了传统比导通电阻和耐压之间的“硅极限”关系(Ron,sp∝VB2.5),将2.5次方关系降低为1.32次方,甚至是1.03次方关系,被誉为功率半导体器件发展的“里程碑”。本书概述了功率半导体器件的基本信息,重点介绍了作者在功率超结器件研究中获得的理论、技术与实验结果,包括电荷场调制概念、超结器件耐压原理与电场分布、纵向超结器件非全耗尽模式与准线性关系(Ron,sp∝VB1.03)、横
超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一,它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层,突破了传统比导通电阻和耐压之间的“硅极限”关系(Ron,sp∝VB2.5),将2.5次方关系降低为1.32次方,甚至是1.03次方关系,被誉为功率半导体器件发展的“里程碑”。本书概述了功率半导体器件的基本信息,重点介绍了作者在功率超结器件研究中获得的理论、技术与实验结果,包括电荷场调制概念、超结器件耐压原理与电场分布、纵向超结器件非全耗尽模式与准线性关系(Ron,sp∝VB1.03)、横向超结器件等效衬底模型、全域优化法、最低比导通电阻理论等。在此基础上,本书又提出了匀场耐压层新概念,即以金属-绝缘体-金
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