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百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府
模拟客观题(参考答案)
半导体器件选择题
1、P型半导体中的载流子是c。a.空穴b.自由电子
c.空穴和自由电子d.空穴和负离子
2、N型半导体中的自由电子浓度a空穴浓度。a.大于b.小于c.等
于
d.大于等于
3、本征半导体的载流子浓度随温度上升而变化，其中c。a.自由电子浓
度增加，而空穴浓度不变b.空穴浓度增加，而自由电子浓度不变
c.空穴和自由电子浓度以相同的规律和倍数增加d.空穴和自由电子浓度都不变
4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于c。a.温度b.掺杂工艺
c.杂质浓度d.晶体缺陷
5、在杂质半导体中，少数载流子的浓度与a有很大关系。a.温度b.掺杂工
艺c.杂质浓度d.晶体缺陷
6、当PN结外加正向电压时，扩散电流c漂移电流，耗尽层c。a.
小于，变宽b.小于，变窄c.大于，变宽d.大于，变窄
7、三极管结构上的特点有a。a.发射区高掺杂b.基区薄、高掺杂c.
发射结面积较大d.以上答案都不对
8、三极管用来放大时，应使发射结处于b偏置，集电结处于b偏置。a.
正向，正向b.正向，反向c.反向，正向d.反向，反向
9、晶体三极管的共发射极输出特性常用一族曲线来表示，其中每一条曲线对应一个
特定的c。a.iCb.uCEc.iBd.iE
10、温度升高时，三极管的电流放大系数βc，正向发射结电压UBEc。a.
减小，减小b.减小，增大c.增大，减小d.增大，增大
11、某晶体管的极限参数为PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工
作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过cmA。a.100b.30c.
15d.5
太上有立德，其次有立功，其次有立言，虽久不废，此谓不朽。——《左传》
12、某晶体管的极限参数为PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工
作电压UCE=1V，则工作电流不得超过bmA。a.150b.100c.
15d.5
14、放大状态下，PNP型晶体三极管和N沟道结型场效应管中，参与导电的载流子，
前者主要是b，后者主要是b。a.空穴，空穴b.空穴，电子c.
电子，空穴d.电子，电子
15、晶体三极管属于b控制器件，场效应管属于b控制器件。a.
电流，电流b.
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