半导体器件microelectric phys 6北极熊校园.pdfVIP

器件

与工艺

SemiconductorDevices

PhysicsandTechnology

先进的MOSFET及相关器件

2015,4,22

本章内容

❑

❑CMOS与BiCMOS

❑绝缘层上MOSFET(SOI器件)

❑结构

❑功率MOSFET

MOSFET尺寸的缩减在一开始即为一持续的趋势.在中,

较小的器件尺寸可达到较高的器件密度．此外，较短的沟道长度可

改善驱动电流(ID～1/L)以及工作时的特性．然而，由于器件尺寸的

缩减，沟道边缘(如源极、漏极及绝缘区边缘)的扰动将变得更加重

要．因此器件的特性将不再遵守长沟道近似的假设．

短沟道效应(short-channeleffect)

前面所得到的阈值电压是基于渐变沟道近似推导得出的，亦即

衬底耗尽区内的电荷仅由栅极电压产生的电场所感应．即V与源极

T

到漏极间的横向电场无关．然而随着沟道长度的缩减，源极与漏极

间的电场将会影响电荷分布、阈值电压控制以及器件漏电等器件特

性．

一、线性区中的阈值电压下跌(Vthroll-off)

当沟道的边缘0.6

NMOS

效应变得不可忽略V0.05V

DS

时，随着沟道的缩0.4

V1.8V

减，n沟道DS

MOSFET的阈值电0.2

压通常会变得不像

V

原先那么正，而对/0

T

于p沟道MOSFETV

而言，则不像原先

V=−1.8V

−0.2DS

那么负，下图显示

了在V=0.05V时V=−0.05V

DSDSPMOS

V下跌的现象．−0.4

T

00.20.40.6

L/m

栅

阈值电压下跌可用如图所示的电荷共享模型来加以解释，此图为一个

n沟道MOSFET的剖面图，且器件工作性区(VDS≤0.1V)，因此漏极结的

耗尽区宽度几乎与源极结相同．由于沟道的耗尽区与源极和漏极的耗尽区

，