2025年半导体器件物理习题 .pdfVIP

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

半导体器件物理习题

第一章

1设晶体的某晶面与三个直角坐标轴的截距分别为2a,3a,4a,其中a为晶格常

数，求该晶面的密勒指数。

3



2mkT

2试推导价带中的有效态密度公式N2[p]2。提示：价带中的一个状

Vh2

态被空穴占据的几率为1－F（E），其中F（E）为导带中电子占据能量E的

几率函数。

19－3

3室温300K下，硅的价带有效态密度为1.04×10cm，砷化镓的为7×

18－3

10cm，求相应的空穴有效质量，并与自由电子的质量相比较。

4计算在液氮温度下77K、室温300K及100℃下硅中Ei的位置，设m＝

p

0.5m，m=0.3m。并说明Ei位于禁带中央的假设是否合理。

0n0

5求300K时下列两种情况下硅的电子和空穴浓度及费米能级：

163

(a)掺1×10原子/cm的硼，

163163

(b)掺3×10原子/cm的硼及2.9×10原子/cm的砷。

151719

6假定满足杂质完全电离的条件，求出在掺磷浓度分别为10、10、10原

3

子/cm时，硅在室温下的费米能级。根据计算结果得到的费米能级验证这三

种情况下杂质完全电离的假设是否成立。

2

7计算300K时，迁移率为1000cm/Vs的电子平均自由时间和平均自由程，设

m＝0.26m。

n0

8在均匀n型半导体样品的某一点注入少数载流子（空穴），样品的两端加

50V/cm的电场，电场使少数载流子在100μs中运动1cm，求少子的漂移速

度和扩散系数。

9求本征硅及本征砷化镓在300K时的电阻率。

10一不知掺杂浓度的样品硅，用霍耳测量得到下述的数据：W