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百学须先立志。——朱熹
杭州电子科技大学研究生考试卷（B卷）
《半导体工艺与技
考试课程考试日期年月日成绩
术》
学院电子信息学院学号姓名
1、什么是CMOS器件闩锁效应？描述三种制止闩锁效应制造技术。（12分）
2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺陷。（10分）
3、什么是LOCOS和STI？为什么在高档IC工艺中，STI取代了LOCOS？（12分）
4、描述双大马士革铜布线（图示）。（12分）
5、列举光刻工艺流程。（12分）
6、列出并阐述刻蚀多晶硅三个环节。（10分）
7、列举离子注入和扩散优缺陷。（10分）
8、什么是CMP？列举CMP优缺陷。（10分）
9、列举并阐述三种以上将来32nmCMOS制造新工艺？（12分）
为天地立心，为生民立命，为往圣继绝学，为万世开太平。——张载
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1、什么是CMOS器件闩锁效应？描述三种制止闩锁效应制造技术。（12分）
答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发
导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件现象。
这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内各个某些，涉及输入端、输出端、内部反相器等。当外
来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就也许诱发闩锁，这种外来干扰噪声经常是随
机，如电源浪涌脉冲、静电放电、辐射等。闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种
状况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出关于地方，另一种是闩锁也许发生在芯片任何地
方，在使用中前一种状况遇到较多。
2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺陷。（10分）
答：（1）因素：由于区熔法可以得到低至1011cm-1载流子浓度。区熔生长技术基本特点是样
品熔化某些是完全由固体某些支撑，不需要坩埚。柱状高纯多晶材料固定于卡盘，一种金属线
圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率射频电流，射频功率技
法电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调节线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈
某些熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。另一种使晶柱局部熔化办法是使用聚焦电子
束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护氛围封闭腔室内
（2）CZ和FZ区别：CZ是直拉法，就是一方面把多晶硅置于坩埚内加热熔化，然后采用小结
晶“种子”——籽晶，再慢慢向上提高、结晶，获得大单晶锭。
（3）CZ和FZ优缺陷比较：FZ是水平区域熔化生长法，就是水平放置、采用感应线圈加热、
并进行晶体生长技术。直拉法在Si单晶制备中更为惯用，占75％以上。直拉法制备Si单晶长
士不可以不弘毅，任重而道远。仁以为己任，不亦重乎?死而后已，不亦远乎?——《论语》
处是：1）成本低；2）能制备更大圆片尺寸，6英吋（150mm）及以上Si单晶制备均采用直拉
法，当前直拉法已制备出400mm（16英吋）商用Si单晶；3）制备过程中剩余原材料可重复使
用；4）直拉法制备Si单晶位错密度低，0～104cm-2。直拉法制备Si单晶重要缺陷是，由于使
用坩埚，Si单晶纯度不如区熔法。区熔法制备Si单晶重要长处是，由于不使用坩锅，可制备
高纯度硅单晶，电阻率高达Ω-mm，因而区熔法制备Si单晶重要用于功率器件及电路。区熔法
制备Si单晶缺陷是：1）成本
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