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勿以恶小而为之,勿以善小而不为。——刘备
第一章测试题(选择题部分1-9题)
1、N型半导体的多数载流子是()。
A.电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
2、在杂质半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度与()有很大关系。
①温度②掺杂工艺③杂质浓度④晶体缺陷
A.①②B.③④C.②①D.④③
3、当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结外加反
向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
①大于②小于③变窄④变宽
A.①③②④B.②③①④C.①④②③D.②④①③
4、随着正向电流的增大,普通二极管的直流电阻和交流电阻()。
A.两者都增大B.前者增大,后者减少C.前者减少,后者增大D.两者都减少
μμ
5、工作在放大区的三极管,当IB从20A增大到40A时,IC从1mA增大到
2mA,则它的β值约为()。
A.10B.50C.100D.200
6、电路如图P1.6所示,该三极管工作于()。
A.放大区
B.截止区
古之立大事者,不惟有超世之才,亦必有坚忍不拔之志。——苏轼
C.饱和区
D.无法确定
7、测得放大电路中某三极管各电极对地的电位VB=2.7V,VE=2V,VC=6V,
则该管()。
A.硅NPN管B.锗NPN管C.硅PNP管D.锗PNP管
8、稳压电路如图P1.8所示,其中UZ1=7V,UZ2=3V,该电路输出电压为()。
A.0.7VB.1.4VC.3VD.7V
9、用直流电压表测得放大电路中某半导体管三个电极1、2、3的电位各为V1=2V、
V2=6V、V3=2.7V,则()。
A.1为e,2为b,3为c
B.1为e,2为c,3为b
C.1为b,2为e,3为c
D.1为b,2为c,3为e
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