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不飞则已，一飞冲天；不鸣则已，一鸣惊人。——《韩非子》
第1篇
一、实验目的
1.熟悉半导体材料的性质，掌握半导体材料的制备方法。
2.学习使用四探针法测量半导体材料的电阻率和薄层电阻。
3.掌握半导体材料霍尔系数和电导率的测量方法。
4.了解太阳能电池的工作原理，并进行性能测试。
二、实验原理
1.半导体材料：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率，其电导率受温
度、掺杂浓度等因素影响。本实验所用的半导体材料为硅（Si）。
2.四探针法：四探针法是一种测量半导体材料电阻率和薄层电阻的常用方法。通
过测量电流在半导体材料中流过时，电压的变化，可以得到材料的电阻率和薄层电
阻。
3.霍尔效应：霍尔效应是一种测量半导体材料霍尔系数和电导率的方法。当半导
体材料中存在磁场时，载流子在运动过程中会受到洛伦兹力的作用，导致载流子在
垂直于电流和磁场的方向上产生横向电场，从而产生霍尔电压。
4.太阳能电池：太阳能电池是一种将光能转化为电能的装置。本实验所用的太阳
能电池为硅太阳能电池，其工作原理是光生电子-空穴对在PN结处分离，产生电流。
三、实验仪器与材料
1.实验仪器：四探针测试仪、霍尔效应测试仪、太阳能电池测试仪、数字多用表、
温度计等。
2.实验材料：硅（Si）半导体材料、太阳能电池等。
四、实验步骤
1.四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻
（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在四探针测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算电阻率和薄层电阻。
子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》
2.霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率
（1）将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
（2）将样品放置在霍尔效应测试仪上，按照仪器操作步骤进行测量。
（3）记录实验数据，计算霍尔系数和电导率。
3.太阳能电池性能测试
（1）将硅太阳能电池放置在太阳能电池测试仪上。
（2）按照仪器操作步骤进行测试，记录实验数据。
（3）计算太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数。
五、实验结果与分析
1.四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻
根据实验数据，计算得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻分别为：ρ=
0.3Ω·m，Rt=0.1Ω。
2.霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率
根据实验数据，计算得到硅半导体材料的霍尔系数和电导率分别为：RH=-
2.5×10^-4V/T，σ=5×10^3S/m。
3.太阳能电池性能测试
根据实验数据，计算得到硅太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数分
别为：Isc=20mA，Voc=0.5V，FF=0.6。
六、实验结论
1.通过四探针法测量，得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻，为后续实验奠定
了基础。
2.通过霍尔效应测量，得到硅半导体材料的霍尔系数和电导率，进一步了解了半
导体材料的性质。
3.通过太阳能电池性能测试，掌握了太阳能电池的工作原理，为太阳能电池的应
用提供了参考。
臣心一片磁针石，不指南方不肯休。——文天祥
4.本次实验成功完成了半导体材料的制备、测量和分析，达到了实验目的。
第2篇
一、实验目的
1.了解半导体材料的基本特性，包括电阻率、霍尔系数、光电导等。
2.掌握四探针法、霍尔效应法等测量半导体材料特性的实验方法。
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