高迁移率Ⅲ-Ⅴ族纳米线：从可控合成到性能突破.docx

高迁移率Ⅲ-Ⅴ族纳米线：从可控合成到性能突破

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料作为材料科学领域的前沿研究对象，正深刻地改变着诸多领域的发展格局。纳米线作为一种典型的一维纳米材料，因其独特的准一维几何形状和纳米级尺寸，展现出一系列与传统块体或薄膜材料截然不同的优异特性，在电子学、光学、能源、生物医学等众多领域展现出了巨大的应用潜力。

从电子学领域来看，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统硅基半导体器件的尺寸缩小面临着诸多挑战，如短沟道效应、功耗增加等问题日益凸显。而纳米线由于其高载流子迁移率、低功耗以及可实现三维集成等优势，被视为未来高性能晶体管、逻辑电路和存储