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2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第1页
2023年《通用电子技术及元器件常识》理
论
知识考试题与答案
目录简介
一、单选题：共122题
二、多选题：共15题
三、判断题：共51题
一、单选题
1、利用二极管反向电击穿时两端电压保持稳定的特性来
稳定电路两点电压的二极管称为()。
A：整流二极管
B：稳压二极管
C：光电二极管
D：变容二极管
正确答案：B
2、固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大状
态，如果将RC增大，此时三极管仍为放大状态，则电压VCE
2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第1页
2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第2页
将()o
A：显著减少
B：不变
C：显著增加
D：无法确定
正确答案：A
3、集成运放电路中虚地是虚短的特殊情况，若用数学表
达式来表示则应是()。
A：I+=I_=OA
B：V_=V+=OV
C：I+=I_=8A
D：V_=V+=8V
正确答案：B
4、某单相桥式整流电路中，变压器次级电压为u2,若电
路改为半波整流后，保持负载两端电压不变时，变压器次级
电压应为()。
A：0、5u2
B：u2
C：1、5u2
D：2u2
2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第2页
2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第3页
正确答案：D
5、从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做
得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施
()。
A：发射区掺杂浓度高，集电结面积小
B：发射区掺杂浓度高，集电结面积大
C：发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D：发射区掺杂浓度第低，集电结面积大
正确答案：B
6、下列不属于多级放大器的三种级间耦合方式为()。
A：阻容耦合
B：变压器耦合
C：直接耦合
D：间接耦合
正确答案：D
7、用万用表测量某放大电路中三极管各个极的电位如下，
处于放大状态的三极管是()。
A：VB=O、7V,VE=OV,VC=O.3V
B：VB=-6、7V,VE=-74V,VC=-4V
2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第3页
2023年《真题电子技术及元器件常识》理论知识考试题与答案--第4页
C：VB=-3V,VE=OV,VC=6V
D：VB=2、7V,VE=2V,VC=2V
正确答案：B
8、半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时,其
参数IR和URM都将发生变化，试选择正确答案()。
A：IR上升，URM下降
B：IR上升，URM上升
C：IR下降，URM下
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