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SSDGQ120N65CTHIGRens
IGBTDiscrete
VcE6S0
二120人
VcE(GSATDIc=120A1.60
5C
可
CircuitApplications
Generalpurposeinverters
C，Uninterruptiblepowersupply
Mediumtolowswitchingfrequencypowerconverters
Features
，Highspeedsmoothswitchingdeviceforhard
Gsoftswitching
Maximumjunctiontemperature175T
E，Positivetemperaturecoefficient
Highruggedness,temperaturestable
MaximumRatings
了ParameterSymbolValueUnit
Collector-EmitterBreakdownVoltageVce650V
DCCollectorCurrentlimitedbyTinax
Tc=25Svaluelimitedbybondwire160
Ic
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DiodeForwardCurrentlimitedbyTimax
Tc=25吕valuelimitedbybondwire160
正人
{人1-全120
ContinuousGate-EmitterVoltageVGE十加
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各从万后已呈
TurnoffSafeOperatingAreaVcE650V，240
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tplimitedbyTinaxTcv240
DiodePulsedCurrent,tplimitedbyTinaxJP240
区Piu576W
S-M511DW
Rev.1.0,18-July-241
SSDGQ120N65CTHIGRens
OperatingJunctionTemperature再-40...+175
StorageTemperatureTs-35...+150
SolderingTemperature，wavesoldering1.6mml260
(0.063in.)人fomcasefor10s
了lectricalCharacteristicsoftheIGBT(T=2SCunlessotherwisespecified)，
ParameterSymbolConditionsMinTyp.Max，Unit
Static
C
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