宏盛微半导体AGM315MBP VER2.68.pdf

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2025-03-18 发布于广东
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AGM315MBP

●GeneralDescription

TheAGM315MBPcombinesadvancedtrench

dSummr

Prouctay

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

protectionapplications.BVDSSRDSONID

●Features

30V12mΩ15A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

PDFN3.3*3.3PinConfiguration

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM315MBPAGM315MBPPDFN3.3*3.3330mm12mm5000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）30V

VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V

IDDrainCurrent-Continuous(Tc=25℃)(Note1)15A

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