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1.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。;第三章半导体载流子的平衡态统计分布;;;特点：
?状态密度与能量呈抛物线关系
?有效质量越大，状态密度也就越大;;－例子：椭球形等能面（导带）;;例子：4.硅与锗的价带，极值在k=0，分重空穴和轻空穴两支能带;=(m);;1;－空穴的费米统计分布函数;;3.2导带电子和价带空穴浓度;;－价带空穴浓度
;－载流子浓度乘积的重要性质;;本征载流子浓度ni与温度T;;3.3.2本征半导体的费米能级位置;;－杂质能级的分布函数; 施主能级上的电子浓度
（未电离的施主浓度）
nD=NDfD(E)
;－例子：n型半导体中的载流子浓度（电中性条件和Ef）;;－例子：n型半导体中的载流子浓度（不同温区的讨论）;－例子：n型半导体中的载流子浓度（不同温区的讨论）;－例子：n型半导体中的载流子浓度（不同温区的讨论）;;－小结;;;电中性条件;;;;;－多种施主、多种受主并存;;;?η;;;3.5.4简并时杂质的电离;例：在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05?1019cm-3，NV=3.9?1018cm-3，（1）试求锗的载流子有效质量m*n，m*p。（2）计算77K时的NC和NV。已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。（3）77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？;例：计算含有施主杂质浓度为ND=9?1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1?1016cm3，的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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例：掺有浓度为每立方米为1.5?1023砷原子和立方米5?1022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。;
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