双光束激光直写平台下微纳三维光刻技术的创新与突破.docx

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2025-03-21 发布于上海
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双光束激光直写平台下微纳三维光刻技术的创新与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，芯片作为各种电子设备的核心部件，其制造工艺的进步一直是推动信息技术发展的关键力量。随着摩尔定律的不断推进，芯片制造工艺对于光刻技术的精度和分辨率要求日益严苛。光刻技术作为芯片制造的核心环节，其发展水平直接决定了芯片的性能、集成度以及生产成本。从最初的接触式光刻，到如今的极紫外光刻（EUV），光刻技术经历了多次重大变革，每一次的技术突破都极大地推动了芯片制造工艺的进步，使得芯片的尺寸不断缩小，性能不断提升。

然而，当前主流的极紫外光刻技术已经逐渐接近其物理极限，面临着诸多挑战，如设备