集成电路电磁兼容建模模型组件提取、电路仿真器中的NLB实现技术、ICIM-CPI模型示例.pdfVIP

GB/T44807.6-XXXX/IEC62433-6:2020

AA

附录A

（资料性）

模型组件提取

A.1概述

ICIM-CPI宏模型参数可以从设计信息或测量数据中提取。本附录提供了从测量数据中获得模型参数

的基本信息。

A.2PPN描述

图3示出了PPN的典型结构。首先，PDN包含有DI端子与其参考地之间的阻抗。其次，PDN也考虑与DI

端子存在电感或电容耦合的其他端子。如图所示，在T1和T2端子之间存在磁耦合路径。因此，T2端子视

为DO端子。PDN考虑T2端子与其参考接地之间的阻抗（在本例中与T1端子的接地共用），以及T1和T2端

子之间的磁耦合系数。

PDN也考虑了通过NLB连接到DI端子的电源端子。

PDN和NLB之间需考虑内部端子。

A.3PDN提取

A.3.1概述

通常使用CISPR17(参考文献[6])中提出的一种方法来完成PDN阻抗提取。

根据DUT配置和试验频率选择合适的测量设备和试验夹具的组合。由于PDN阻抗可能随电压偏置而变

化，因此在DUT“通电”的情况下提取PDN元件，以接近正常运行条件。注意不要使用高于制造商数据表中

规定的最大额定电压，以免损坏DUT。

测量系统宜溯源到国家标准。测量系统和试验夹具宜按照设备说明书正确校准。

A.3.2S/Z/Y参数测量

其中一种测量DUT网络参数（S或Z或Y参数）的方法是使用阻抗测量设备或VNA。根据CISPR17，DUT

的阻抗测量可采用两种方法：直接法和间接法。

在直接法中，通过将DUT插入试验夹具并使用阻抗测量设备（阻抗分析仪）扫描测量频率来测量阻

抗参数。在所规定的频率范围内记录阻抗和频率之间的关系。

在间接法中，DUT的阻抗可根据其S参数进行评估。在这种情况下，在规定频率范围内使用VNA测量S

参数。现代VNA通常包含用于计算阻抗的函数。在技术文献中可以很容易地找到不同网络参数之间的转

换关系。

假设每个VNA端口的端口阻抗为50Ω。该阻抗是激励源和测量端口的一部分。

A.3.3常规单端口方法

图A.1显示了连接到受试引脚（DUT）的VNA的最简单单端口等效电路模型。

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端口1端口2

ZZ

PinPin

S方法

S方法22

11

图A.1常规单端口S参数测量

根据激励端口（端口1或端口2），S或S表示引脚的阻抗（Z）。例如，Z可以使用以下公式从S

1122PinPin11

获得：

1+1