一种基于MEMS工艺的F-P压力传感器及成型方法 .pdfVIP

一种基于MEMS工艺的F-P压力传感器及成型方法--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104502005A

(43)申请公布日2015.04.08

(21)申请号CN201410729351.6

(22)申请日2014.12.04

(71)申请人刘玉珏

地址200336上海市长宁区天山路88弄12号1601室

(72)发明人刘玉珏

(74)专利代理机构北京理工大学专利中心

代理人杨志兵

(51)Int.CI

G01L1/24

B81B7/00

B81C1/00

B81C3/00

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种基于MEMS工艺的F-P压力传

感器及成型方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于MEMS工

艺的F-P压力传感器及成型方法，属于高

精度光纤传感测量领域。所述F-P压力传

感器主要包括F-P压力敏感MEMS芯片、

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准直扩束光纤和基座；其中，F-P压力敏感

MEMS芯片由SOI硅片和玻璃片组成；

SOI硅片包括顶层硅、中间氧化层和底层

硅；SOI硅片通过硅-玻璃阳极键合固定在

玻璃片上，玻璃片与准直扩束光纤均通过

焊料焊接在基座上；所述F-P压力敏感

MEMS芯片基于MEMS微加工技术制备，

通过与准直扩束光纤对准封装后构成光纤

F-P压力传感器；所述传感器兼具高灵敏

度、高测量精度、过量程能力优异、可工

作在高温环境；并根据压力测量灵敏度、

量程和波分组网等实际应用需要而灵活调

整传感器F-P腔的初始腔长。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

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权利要求说明书

1.一种基于MEMS工艺的F-P压力传感器，其特征在于：所述F-P压力传

感器主要包括F-P压力敏感MEMS芯片(1)、准直扩束光纤(2)和基座(3)；

其中，所述F-P压力敏感MEMS芯片(1)由SOI硅片和玻璃片(4)组成；

所述SOI硅片包括顶层硅(5)、中间氧化层(6)和底层硅(7)；其中，底

层硅(7)的上表面依次沉积有增透膜(8)和钝化层(10)；由SOI硅片顶层硅

(5)的表面沿SOI硅片厚度方向加工有深度至底层硅(7)的环形凹槽，

在环形凹槽的中心形成圆柱形凸台；所述圆柱形凸台的表面与底层

硅(7)和中间氧化层(6)的分界面处于同一