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模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案--第1页
1半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入
五价杂质，其多数载流子是电子。
2．在本征半导体中，空穴浓度C电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度B电子
浓度；在P型半导体中，空穴浓度A电子浓度。
（A．大于，B．小于，C．等于）
3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于C，而少数载流子的浓度与A关
系十分密切。
（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
4.当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反
向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。
（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变）
5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于
导通状态；反向偏置时，处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B，反向电流一般_C_；普通小功率锗二
极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于1μA，D．大于1μA）
7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T
1
时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电压
为160伏，反向电流为10-6安培。温度T小于25℃。（大于、小于、等于）
1
imA
30
o
25C
T
1
20
10
150100500v/V
0.51
-0.001
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