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;;;;;提升国家竞争力;;具有高电子迁移率、高饱和电子漂移速度和高击穿电压等特性,是超高频大功率半导体材料的优选之一。;GaN功率器件;半导体材料正向更宽禁带、更高饱和电子漂移速度、更高热导率方向发展,器件结构将更加复杂、性能更高,应用领域也将更加广泛。;;;研发任务分解;;;选择优质原材料供应商,建立稳定的采购渠道,确保材料质量和供应稳定性。;;技术路线选择及依据;;产业链完善与升级;本项目开发的超高频大功率半导体器件将应用于通信设备,提升通信设备的传输速度和效率。;;;技术风险及应对策略;;;THANKS
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