【团标平台】碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范（征求意见稿）.pdf

ICSXXX

XXX

团体标准

T/CASAS006—XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用

技术规范

TheGeneralSpecificationforSiliconCarbideMetal-Oxide-

SemiconductorField-Effect-Transistor

（征求意见稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

I

前言

本标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASA）制定发布，版权归CASA所

有，未经CASA许可不得随意复制；其他机构采用本标准的技术内容制定标准需经CASA允许；任何

单位或个人引用本标准的内容需指明本标准的标准号。

到本标准正式发布为止，CASA未收到任何有关本标准涉及专利的报告。CASA不负责确认本标准

的某些内容是否还存在涉及专利的可能性。

本标准主要起草单位：……………..

本标准主要起草人：……

T/CASASXXX—XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

1范围

IEC60747的这一部分详细介绍了以下类型的具有反向二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管

（MOSFET）。

——B型：耗尽（常开）型；

——C型：增强（常闭）型。

注1：某些应用中的MOSFET可能没有数据手册中的体二极管特性。用于消除体二极管的特殊电路元件结构正在

开发中。MOSFET应用（如电机控制设备）需要在MOSFET中指定体二极管特性，以将体二极管用作续流

二极管。

注2：MOSFET在IEC60747-8中被划分为一类绝缘栅场效应晶体管（IGFET）。

注3：本标准仅使用C型图形符号。它同样适用于B型器件的测量。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后修订版

均不适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

IEC60747-1-1983半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（Semiconductordevices.

Discretedevices-Part1:General）

IEC60747-2-2000半导体器件分立器件与集成电路第2部分：整流二极管（Semiconductor

devices-Discretedevicesandintegratedcircuits-Part2:Rectifierdiodes）

IEC60747-8-2010半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（Semiconductordevices-Discrete

devices-Part8:Field-effecttransistors）

JEITAEDR-4713-2017化合物半导体可靠性实验方法准则（GuidelinesforCompoundPower

SemiconductorDeviceReliabilityTestMethod）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

3.1通用术语

MOSFET的通用术语在IEC60747-8的4.2中