NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET IGBT 驱动芯片 SOP8 深圳恒锐丰科技.pdf

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国硅集成电路技术（无锡）有限公司NSG6003

NSICTechnology(Wuxi)Co.,LTDVersion1.0,2023.09.01

NSG6003650V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

1产品特性3产品概述

自举工作的浮地通道NSG6003是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱

最高芯片耐压为+650V动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电

dV/dt耐受能力可达±50V/ns路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的

S

Vs负偏压能力达-9VCMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通

集成VCC、VBS欠压锁定电路道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道

--VCC欠压锁定阈值4.5V/4V最高工作电压可达600V。NSG6003采用SOP8封装，

--VBS欠压锁定阈值4.1V/3.6V可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

芯片传输延时特性

器件信息

--开通/关断传输延时Ton/Toff250ns/150ns

零件号封装封装尺寸（标称值）

--延迟匹配时间小于50ns

NSG6003SOP84.9mmx3.9mm

防止直通保护

--死区时间130ns

简化示意图

宽温度范围-40°C~125°C

符合RoSH标准

SOP8(S)

2应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

逆变器驱动

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