CASA 016—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法—征求意见稿.pdf

ICSXXX

XXX

团体标准

T/CASA016—202X

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC

MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

Transientdualtestmethodforthemeasurementofthethermal

resistancejunctiontocaseofsiliconcarbidemetal-oxide-

semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）

草案

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上

202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

I

T/CASA016—202X

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归

CASAS所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS

允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件起草单位：……

本标文件起草人：……

III

T/CASA016—202X

引言

碳化硅金属氧化物半导体晶体管（SiCMOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、热导率高

等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。而结壳热阻表征着热量在

导热路径上的传输能力，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进

提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiCMOSFET的鉴定、评价具有重要意义。

V

T/CASA016—202X

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）

结壳热阻瞬态双界面测试方法

1范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方

法，适用于SiCMOSFET分立器件的结壳热阻测试。本方法设置SiCMOSFET器件栅极和源极负压偏

置条件下，选用源极和漏极电压Vsd作为结壳热阻测试的温敏参数。。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本不适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于

本文件。

JESD51-14：Transientdualinterfac