2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工考试近5年真题集锦（频考类试题）带答案.docx

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2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工考试近5年真题集锦（频考类试题）带答案

第I卷

一.参考题库(共80题)

1.假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

2.什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。

3.什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？

4.采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

5.例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。

6.抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。

7.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

8.硅外延片的应用包括（）。

A、二极管和三极管

B、电力电子器件

C、大规模集成电路

D、超大规模集成电路

9.什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？

10.集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

11.例举并描述薄膜生长的三个阶段。

12.写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

13.简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？

14.简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

15.气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

16.什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

17.什么是CMOS技术？什么是ASIC？

18.例举双大马士革金属化过程的10个步骤。

19.什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

20.在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。

21.光刻和刻蚀的目的是什么？

22.解释下列名词：互连、接触、通孔和填充塞。

23.下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）

A、单基极条图形

B、双基极条图形

C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构

D、梳状结构

24.低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）

25.集成电路封装有哪些作用？

26.最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。

27.半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。

28.干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

29.例出并描述4种真空范围。

30.说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？

31.什么是特征尺寸CD？

32.如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。

33.金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。

A、塑料

B、玻璃

C、金属

34.描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。

35.例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？

36.腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、盐酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氢氟酸

37.半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。

A、热阻

B、阻抗

C、结构参数

38.什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

39.在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

40.厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。（）

41.下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

42.离子源是产生离子的装置。（）

43.解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

44.在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

45.粘封工艺中，常用的材料有哪几类？

46.杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。

47.离子注入后为什么要进行退火？

48.属于绝缘体的正确答案