硅：无机非金属材料的基石专业课件分享.pptVIP

*************************************单质硅的电学性能本征半导体特性单质硅是典型的间接带隙半导体，室温下禁带宽度为1.12eV。本征硅中载流子浓度低，室温下约101?/cm3，具有适中的导电性。硅的能带结构决定了其光电特性，间接带隙特性使得光吸收和发光效率相对较低。硅的载流子迁移率适中，室温下电子迁移率约1400cm2/(V·s)，空穴迁移率约450cm2/(V·s)。硅的导电性强烈依赖温度，随温度升高，带隙宽度减小，载流子浓度增加，表现出典型的半导体负温度系数。掺杂调控通过向硅晶格中引入掺杂剂，可以控制其导电类型和电阻率。常见的n型掺杂剂有磷(P)、砷(As)、锑(Sb)，形成施主能级；p型掺杂剂有硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)，形成受主能级。掺杂浓度从101?到102?/cm3不等，可将电阻率调控在0.001-10,000Ω·cm范围内。掺杂不仅影响电导率，还会改变费米能级位置、载流子寿命和迁移率。通过精确控制掺杂分布，可以形成PN结、双极型晶体管等基本半导体器件结构。现代离子注入技术和外延生长技术使掺杂过程更加精确可控。单质硅的光学性能单质硅在可见光范围内具有较高的折射率（n≈3.5），使其成为重要的光学材料。硅对可见光不透明，但对波长大于1.1μm的红外光有良好的透过性，这一特性使硅成为红外光学元件的理想材料。单晶硅因其均匀性和稳定性，广泛用于高精度光学平面基准。硅材料通过表面微纳结构设计可实现特殊光学功能，如反射率调控和光子晶体效应。纳米多孔硅具有可见光发光特性，为硅基光电子器件提供了可能性。在硅光电子学领域，人们通过带隙工程和异质结构设计，不断拓展硅材料的光学应用边界，包括硅基光调制器、波导和探测器等。单质硅的机械性能单质硅是一种脆性材料，室温下几乎没有塑性变形能力，断裂行为类似于陶瓷。硅的断裂韧性（KIC）约为0.9MPa·m^(1/2)，远低于金属材料。单晶硅的机械性能具有明显的晶向异性，不同晶面的硬度和弹性模量存在差异，这一特性在硅片加工中需要特别考虑。单晶硅在高温下（600°C）开始表现出一定的塑性，这与位错运动活化有关。硅的高温蠕变性能对高温半导体器件和MEMS器件的可靠性有重要影响。硅的机械性能可通过掺杂、表面处理和复合化进行改善，如氢注入可增加表面硬度，SiC颗粒增强可提高韧性和强度。二氧化硅的热学性能1723°C熔点二氧化硅熔点高，是优质高温材料0.55×10??/K热膨胀系数熔融石英的极低热膨胀系数1.4W/(m·K)热导率低热导率使其成为良好隔热材料1.0J/(g·K)比热容较高的热容提供良好的热稳定性二氧化硅的突出热学特性是其极低的热膨胀系数，熔融石英的热膨胀系数仅为0.55×10??/K，远低于大多数材料，这使其具有优异的热震稳定性，能够承受急剧的温度变化而不破裂。这一特性使熔融石英成为光学窗口、反应器部件和精密仪器基准的理想材料。二氧化硅的网络结构使其热导率较低，为热障涂层和隔热材料提供了基础。气凝胶等多孔二氧化硅材料热导率更低，是超级隔热材料。石英玻璃良好的高温稳定性和化学惰性使其成为高温过程中的重要材料，如半导体制造中的扩散和氧化工艺。二氧化硅的化学性能化学稳定性二氧化硅具有优异的化学稳定性，不溶于水和大多数酸。这种稳定性源于强大的硅-氧共价键网络结构。二氧化硅能够在高温和腐蚀性环境中保持稳定，是化学反应器、管道和容器的重要材料。在大多数有机溶剂中也表现出极好的稳定性。耐酸性二氧化硅对除氢氟酸外的所有酸都有优异的耐蚀性。氢氟酸能够攻击硅-氧键，形成挥发性的四氟化硅，这一特性被用于玻璃的刻蚀和图案化。硼硅酸盐玻璃通过引入硼氧网络，进一步提高了对酸的耐受性，广泛用于化学实验室器皿。碱敏感性二氧化硅对强碱性溶液相对敏感，特别是在高温下。碱能够破坏硅-氧网络结构，形成可溶性的硅酸盐。这一特性限制了二氧化硅在高pH环境中的应用，但也为某些湿法加工工艺提供了基础，如玻璃的碱性清洗和选择性刻蚀。二氧化硅表面的硅羟基（Si-OH）基团赋予其独特的表面化学特性，包括离子交换能力、催化活性和生物相容性。通过表面改性，如硅烷偶联剂处理，可以改变二氧化硅的表面性质，实现疏水性、特定官能团引入等，拓展其在催化、分离和生物材料领域的应用。碳化硅的性能特点高硬度碳化硅硬度接近金刚石，莫氏硬度9.5，维氏硬度约28-35GPa。这种极高的硬度使碳化硅成为优质的研磨材料和耐磨材料。碳化硅的高硬度源于其强共价键结构，硅和碳原子以sp3杂化形成的四面体配位结构提供了极高的结构稳定性。高热导率碳化硅的热导率在室温下约为120-1