模电复习之填空题练习(含答案).docxVIP

1．根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为N型杂质半导体和P型杂质半导体两种类型。N型杂质半导体是在本征半导体中掺入5价价杂质形成的，在这种类型的杂质半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。多数载流子浓度主要取决于杂质浓度，而少子浓度则主要受本征激发的影响。

2．电路如图1所示，设二极管是理想的，则D1的状态为截止，电压6V。

图1

3．测得某正常工作的放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的C极、B极、E极。该三极管为NPN型三极管。

4．若使半导体三极管工作于放大状态，则必须使其发射结正向偏置、集电结反向偏置。此时，三极管集电极电流主要受基极电流（IB）控制。若三极管发射结和集电结均反向偏置，则三极管工作于截止状态。此时，三极管集电极电流近似为0。

图25．三极管共射极放大电路如图2所示，如果输出信号波形出现底部失真，则属于饱和失真，消除该失真应增加的值。

图2

6．三极管单管放大电路中，当输入信号的频率为和时，放大倍数的幅度下降为中频时的0.707

倍，或者相对于中频时下降了3dB。

7．场效应管是一种利用电压控制电流的器件，三极管则是一种利用电流控制电流的器件。

8．已知某差动放大电路的差模电压放大倍数，共模抑制比，则其共模信号放大倍数0.1或-20dB。

9．理想运放工作在线性状态时，其两个输入端的电压近似等于0，这个性质称为虚短。

10．桥式正弦波振荡电路采用RC串并联网络作为选频网络，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数=1/3。

11．集成运放用作电压比较器时，应工作于A(A.开；B.闭)环状态或引入A(A.正；B.负)反馈。

12．小功率直流稳压电源一般由电源变压器、整流、滤波和稳压电路四部分组成。

图313．电路如图3所示。电路中二极管D工作状态为B（A.导通；B.截止），＝0.3V。（设二极管正向导通压降）

图3

14．工作在放大区的某三极管的三个极A、B、C对地电位分别为，，那么该管为硅材料的

PNP型三极管。

15．在不同组态的三极管基本放大电路中，具有“反相”特点的组态为共发射极。

16．电子技术中多级放大电路常用的两种耦合方式分别为RC和直接。

17．三极管基本放大电路的非线性失真有两种形式，分别为饱和失真和截止失真。某BJT放大电路如图4（a）所示，在实验中发现输出电压出现图4（b）所示失真，则该失真是饱和失真，应调节电阻RB使其增大（增大/减小）以消除失真。

（b）图

（b）

图5

图4(a)图4(b)

18．与双极型晶体管不同，场效应晶体管是通过VGS控制漏极电流iD实现放大的，并且其输入电阻更高。由于场效应管是依靠导电沟道中的多子导电实现其功能，因此又称为单极型晶体管。电路如图5所示，已知增强型场效应管的开启电压VTN=2V，耗尽型场效应管的夹断电压VPN=-3.5V，则电路a中的场效应管工作于可变电阻区，电路b中的场效应管工作于饱和（或者写恒流、线性）区。

19．由于增强型MOS场效应管在栅源电压时B（A.有；B.无）导电沟道，所以在构成放大电路时，只能采用分压式直流偏置电路。

20．完全对称的差分放大电路在无负载的情况下，若输入电压Ui1=2.01V，Ui2=1.99V，则双端输出时，Uo=-3V；则该电路的差模电压放大倍数Aud＝-150，共模电压放大倍数Auc＝0。

21．集成运算放大器是一种高增益、直接耦合的多级放大电路。为了克服温度漂移，运放的输入级常采用差分式放大电路。单端输出的差分式放大电路中，如果两个输入端的电压分别为40mV和30mV，则电路的差模输入电压为10mV，共模输入电压为35mV；