常用晶体管课件.pptVIP

7.1晶體二極體電晶體是二十世紀四十年代出現的半導體器件，以其體積小、重量輕、功耗小、壽命長、可靠性高等優點，獲得了迅猛發展，在工業自動測檢、電腦、通信、航太等方面獲得了廣泛的應用。7.1.1半導體材料導電能力介於導體與絕緣體之間的物質稱為半導體，如矽、鍺、硒以及大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體。純淨半導體（本征半導體）的導電能力差，絕緣性能也不強，但當溫度、光照、摻雜質等條件變化時，能引導半導體導電能力的顯著變化，也就是說半導體材料具有熱敏性、光敏性和摻雜性。1．本征半導體純淨的半導體材料稱為本征半導體。將矽或鍺(四價元素)材料提純並拉制成單晶後，使所有原子整齊排列，每一個原子與相鄰四個原子結合，處於較為穩定狀態，形成共價鍵結構如圖7-1。當本征半導體獲得一定能量（熱、光、電場）後，形成電子—空穴對。在外電場作用下，自由電子逆電場、空穴順電場運動，因而都稱載流子。在一定溫度下，電子—空穴對產生和複合達到動態平衡，載流子數目便基本維持一定數目。熱、光、電場等能量SiSiSiSiSiSiSiSi空穴被吸引自由電子圖7-1本征半導體的模型Si2．摻雜半導體(1)N型半導體單晶矽(或鍺)通過某種工藝摻入微量磷P元素(或其他五元素價)，晶體結構中磷原子參於共價鍵結構時需四個價電子，多餘的一個價電子很容易掙脫原子核束縛而成為自由電子，同時本征半導體中存在電子—空穴對；於是自由電子數目多，稱為多數載流子；而空穴數目少，稱為少數載流子，這種半導體稱為N型半導體，如圖7-2所示。SiSiSiSiPSiSiSiSi自由電子圖7-2N型半導體的形成Pa)b)電子—空穴對（2）P型半導體單晶矽(或鍺)中摻入微量的硼B元素（或其他三價元素），因硼只有三個價電子，因共價鍵結構中因缺少一個價電子而形成一個空穴；同時由於本征半導體中存在電子—空穴對。於是導體中的空穴數目多，稱為為，多數載流子；而自由電子數目少，稱為少數載流子，這種半導體稱為P型半導體如圖7-3所示。SiSiSiSiBSiSiSiSi空穴圖7-.3P型半導體的形成Ba)b)電子—空穴對7.1.2PN結1．PN結的形成通過一定的工藝使一塊單晶片兩邊分別形成P型和N型半導體。在P型和N型半導體的交界處存在著空穴和自由電子的濃度差，於是P區的空穴向N區擴散，N區的自由電子向P區擴散，如圖7-4a所示，擴散到對方的載流子成為少數載流子，並與對方的多數載流子複合，使自由電子和空穴同時消失。這樣就在它們的交界處留下不能移動的正負離子組成的空間電荷區(內建電場)，也就是PN結，如圖7-4b所示。這個內建電場的方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區，它阻止載流子的擴散直至交界面兩邊的電荷不再增加，達到動態平衡，稱阻擋層，又由於空間電荷區缺少可以自由移動的載流子，所以稱為耗盡層。PN結中載流子的擴散運動只是多數載流子的運動，還有少數載流子的漂移運動。內建電場對P區和N區的少數載流子具有吸引作用，只要少數載流子靠近耗盡層，就會被內建電場拉到對方的區域中去，這就是漂移運動。擴散和漂移這兩種運動在PN結形成後達到動態平衡，空間電荷區的寬度基本上穩定下來，PN結就處於相對穩定的狀態。內電場方向圖7-4PN結的形成空間電荷區自由電子空穴+PN––––––––––––––––+++++++++++++++自由電子空穴+PN––––––––––––––––+++++++++++++++2．PN結的單向導電性(1)當給PN結加正向電壓，即P區接外加電源的正極，N區接負極，如圖7-5所示，PN結的導通狀態，電流方向稱為正向電流，且電流較大。++++––––PN內電場方向外電場方向–+I圖7-5PN結加正向電壓變窄mA(2)當給PN結加反向電壓，即P區接外加電源的負極，N區接正極，如圖7-6所示，PN結處於截止狀態，反向電流很小電流，受環境溫度影響較大。++++––––PN內電場方向外電場方向+–I圖7-6PN結加反向電壓變寬μA––––++++7.1.3晶體二極體1．二極體的結構把PN結封裝在管殼內，並引出兩個金屬電極，就構成一個二極體。其外型和圖形符號如圖7-7a、