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设计背景
1单位增益带宽GBW500MHz
2总电流IDC1mA
3增益Gain60dB
4相位裕度PM60
已知负载电容CL=1pF，在TSMC0.18um工艺下完成
设计方法
使用如图所示的八管组成的两级运放结构，左侧Q8为偏置管，给两级运放提供电
流偏置，中间Q5、Q1、Q2、Q3、Q4组成输入级为第一级增益，右侧Q7、Q6组成输出
级为第二级增益。
首先按照该结构出相应的电路图，并建立了symbol如下：
根据要求仿真的testbench如下：
在ADEspectre中设置好仿真类型，并setupoutputs如下所示：
参数设定
最终确定的电路参数如下：
验证过程
DC仿真
可以看出Vdsat均在100mV左右，所有管子都处于饱和区。
直流功耗为209.759uA+208.91uA=418.7uA
AC仿真
仿真波特图如下：
从图中可以看出：Gain=64.87dBGBW=509.5MHzPM=60.6°
spectre的outputs结果为：
可以看出，各项指标均满足要求，并且功耗较低只有418.7uA。
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