宏盛微半导体HYG050N13NS1B6.pdf

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HYG050N13NS1B6

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

135V/200A

RDS(ON)3.8mΩ(typ.)@VGS10V

100%AvalancheTested

ReliableandRugged

Pin7

Lead-FreeandGreenDevicesAvailable

(RoHSCompliant)Pin1

TO-263-6L

ApplicationsPin4

PowerSwitchingapplication

UninterruptiblePowerSupply

Pin1

Pin2,3,5,6,7

OrderingandMarkingInformationN-ChannelMOSFET

PackageCode

B6B6:TO-263-6L

G050N13

DateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhanc

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