元器件抗辐射性能评估指南-送审稿（公开）.docx

ICS

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DB31上海市地方标

DB31

DB31/XXXX—XXXX

元器件抗辐射性能评估指南

GuidelineforAnti-RadiationCapacityAssessmentofComponents

（送审稿）

XXXX-XX-发布XXXX-XX-XX实施

上海市质量监督管理局发布

I

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件附录A和附录B为资料性附录。

本文件由上海市经济和信息化委员会提出。

本文件由上海市航天工业标准化技术委员会归口。本文件起草单位：上海精密计量测试研究所。

本文件主要起草人：马林东、刘元、琚安安、汪波、秦林生、孔泽斌、祝伟明、王昆黍。

1

元器件抗辐射性能评估指南

1范围

本文件规定了拟用于卫星等空间飞行器用电子元器件抗辐射性能评估试验的组织管理以及试验流程、方案制定、试验实施与结果应用等内容要求。

本文件适用于卫星等空间飞行器用电子元器件的抗辐射性能评估试验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB18871-2002电离辐射防护与辐射源安全基本文件GJB128-1997半导体分立器件试验方法

GJB548C-2021微电子器件试验方法和程序

GJB762.1-1989

半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验

GJB1649-1993

电子产品防静电放电控制大纲

GJB2712-1996

测量设备的质量保证要求计量确认体系

GJB7242-2011

单粒子效应试验方法和程序

QJ10004A-2018

宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法

QJ10005A-2018

宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

QJ20009-2012

宇航用光电器件位移损伤试验方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1电离辐射效应ionizingradiationeffect

因辐射与物质相互作用产生电子-空穴对，导致辐射损伤的现象，也称电离总剂量效应。

3.2单粒子效应single-eventeffects（SEE）

由于单个高能粒子入射引起器件发生的单次事件现象，包括单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子栅穿、单粒子瞬态等，具体定义参见附录A。

3.3位移损伤效应displacementdamageeffects

粒子在材料中通过弹性或非弹性碰撞导致材料晶格结构损伤导致的辐射损伤现象。

4一般要求

4.1人员要求

试验人员应掌握电离辐射效应、单粒子效应、位移损伤效应的基本概念，了解空间辐射效应模拟试验方法的基本原理和标准，能熟练使用相关仪器设备。

2

4.2设备要求

试验所用设备应具有精确测量元器件电参数所需要的稳定性、准确性和分辨率等，并按GJB2712-1996的规定进行检定。

4.3辐射安全与防护要求

试验过程中应按GB18871-2002的规定采取防护措施防止辐射对试验人员造成伤害，主要包括：试验人员均应经过防护和安全有关的培训并具有相应的资格；

试验过程中应佩戴剂量计，对辐照剂量进行监测或测量并遵守有关防护与安全规则和程序；预计正常照射的大小并对个人所受到的潜在照射剂量加以限制；

对辐照后出现活化的器件进行相应隔离，直至放射性活度降低到符合规定的程度再操作。

4.4静电放电防护要求

试验中应按GJB1649-1993的规定采取防护措施防止静电放电对元器件造成损伤。

4.5文档要求

试验过程应形成完整的文件，包括经过评审或会签确认的试验方案、试验报告等，并归档保存。

5详细要求

5.1技术流程

宇航用电子元器件抗辐射性能评估技术流程，如图1示。

3

电子元器件选用

!!

!

电子元器件辐射敏感性分析

电子元器件应用经历

电子元器件应用经历

!

!

!↓

否在轨飞行经历

否

在轨飞行经历

是

抗辐射能力分析

是

是

否达到规定抗辐射指

否

达到规定抗辐射指标

!↓

!

制定抗辐射性能评估试验方案

↓

↓!

否

否

通过评审

通过评审

是

抗辐射性能评估试验实施、试验数据记录

重新选择元器件!

重新选择元器件

数据分析、试验报告出具、抗辐射性能评估

↓

否否是否加固是↓是否