《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法》（TCASAS 037-2024）.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS037—2024

台

平

息

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

信

（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

准

Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield

effecttransistors（SiCMOSFET）

标

体

团

国

全

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS037—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

台

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

平

3术语和定义…………………1

4测试原理……………………3

4.1栅极电荷测试基本原理………………3

息

4.2感性负载（双脉冲）电路测试原理……………………4

4.3阻性负载（单脉冲）电路测试原理……………………5

5测试条件……………………6

6测试流程……………………6

信

6.1感性负载（双脉冲）测试流程…………6

6.2阻性负载（单脉冲）测试流程…………6

7测试数据处理………………7

准

7.1感性负载（双脉冲）测试数据处理……………………7

7.2阻性负载（