《铜铟镓硒太阳能电池》课件.pptVIP

铜铟镓硒太阳能电池高效清洁的新型薄膜太阳能电池技术柔性设计，优异性能，引领光伏产业新方向

课程大纲铜铟镓硒太阳能电池简介基本定义与历史发展工作原理能量转换机制与物理过程制造工艺各层制备方法与工艺流程性能特点效率、稳定性与应用优势产业发展市场现状与主要企业未来展望创新方向与发展机遇

第一部分：铜铟镓硒太阳能电池简介定义以Cu(In,Ga)Se?为吸收层的薄膜太阳能电池特点高效率、低温度系数、优异弱光性能应用建筑一体化、便携式设备、航天工程

什么是铜铟镓硒太阳能电池？定义以Cu(In,Ga)Se?半导体材料为光吸收层的第二代薄膜太阳能电池基本结构衬底/背电极/吸收层/缓冲层/窗口层/电极栅线的多层结构主要元素组成铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)四种主要元素构成吸收层

铜铟镓硒太阳能电池的发展历史1早期研究1974年，首个CuInSe?电池问世2重要突破1994年，NREL实现13.5%效率3规模化生产2011年，SolarFrontier量产突破4效率新高2019年，实验室效率达23.35%

铜铟镓硒太阳能电池在光伏产业中的地位晶体硅薄膜(CdTe)铜铟镓硒非晶硅钙钛矿其他

第二部分：工作原理光照太阳光入射电池光子吸收产生电子-空穴对载流子分离在内建电场作用下分离电流形成载流子定向移动产生电流

光电效应基础光子入射太阳光中的光子到达电池表面能量传递光子能量转移给半导体中的电子激发过程电子获得能量跃迁至导带，形成空穴电子-空穴对产生可移动的电荷载流子

铜铟镓硒材料的能带结构直接带隙特性光子可直接激发电子跃迁吸收系数高，所需厚度薄能带调节通过In/Ga比例调整带隙宽度带隙范围：1.0-1.7eV光吸收效率吸收系数10?cm?12-3μm厚度可吸收99%光子

电子-空穴对分离机制光子吸收在CIGS吸收层中产生电子-空穴对内建电场p-n结界面形成空间电荷区载流子迁移电子向n区移动，空穴向p区移动电荷收集电极收集电荷形成电流

p-n结的形成p型CIGS吸收层铜空位形成受主杂质产生空穴PN结界面异质结形成内建电场n型窗口层CdS/ZnO提供电子载流子能带弯曲费米能级对齐导致能带弯曲

电流产生过程光生载流子吸收层中产生电子-空穴对载流子扩散向空间电荷区移动电荷分离在内建电场作用下分离电荷收集经电极收集形成外电路电流

电压产生机制内建电场p型CIGS与n型CdS/ZnO形成电势差费米能级分离光照下准费米能级分离产生电势差开路电压不连接负载时两端的最大电压限制因素复合损失和能带不匹配降低电压

第三部分：制造工艺衬底制备清洗与处理玻璃/金属衬底背电极沉积溅射沉积钼层吸收层制备共蒸发/硒化/溶液法缓冲层沉积化学浴沉积CdS层窗口层与电极溅射ZnO/ITO及栅线封装与测试组件封装与性能测试

衬底选择与处理玻璃衬底钠钙玻璃，含钠有助于CIGS结晶成本低，稳定性好适合大规模生产金属箔衬底不锈钢或铝箔轻量化，柔性化卷对卷生产可能表面处理超声波清洗去除污染物等离子体表面活化钠前驱体沉积

背电极沉积500-1000nm钼层厚度确保低电阻和良好附着力0.2-0.3Ω面电阻减少串联电阻损失200-400℃沉积温度影响钼层结晶度和密度

铜铟镓硒吸收层制备方法共蒸发法真空条件下同时蒸发各元素硒化法先沉积金属前驱体再进行硒化溶液法纳米墨水涂布后热处理混合法结合多种工艺优势

共蒸发法详解设备要求高真空系统，多源蒸发器精确温度控制，旋转基板架工艺流程三阶段法：In+Ga+Se，Cu+Se，In+Ga+Se基板温度：450-600℃优势高效率，组分精确控制最高实验室效率来自此方法

硒化法详解金属前驱体制备溅射/电镀沉积Cu-In-Ga金属层硒化过程H?Se气体或Se蒸气环境下热处理结晶生长550℃左右热处理形成CIGS晶体冷却与后处理控制冷却速率优化晶粒结构

溶液法详解墨水配方金属前驱体，硒/硫源，溶剂，添加剂2涂布工艺旋涂/刮刀涂布/喷墨打印/丝网印刷预热处理200-300℃驱除溶剂和有机物4高温退火450-550℃硒气氛中结晶形成CIGS

缓冲层沉积CdS缓冲层厚度：30-50nm化学浴沉积(CBD)法Zn(O,S)缓冲层无镉环保替代品原子层沉积技术In?S?缓冲层能带匹配性好热蒸发或CBD法

窗口层与顶电极制备1本征ZnO层(i-ZnO)射频磁控溅射沉积，厚度50-80nm2掺杂ZnO层(ZnO:Al)直流磁控溅射，厚度300-500nm3ITO顶层溅射沉积，高透明度与导电性4金属栅线镍/铝/银栅线，丝网印刷或蒸镀

封装技术前盖玻璃低铁钢化玻璃透光率91%抗紫外线涂层封装材料EVA/POE胶膜提供机械支撑防水防尘背板选择玻璃/高分子复合膜阻水阻氧性能耐候性要求高接线盒防水等级IP67旁路二极管保护热点效应预防

第四部分：性能特点1高效率实验室效率23.35