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CTGUFundamentalofElectronicTechnology
•1
内容
5.3结型场效应管(JFET)
5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
5.2MOSFET放大电路
l5.5各种放大器件电路性能比较
5.4砷化镓金属-半导体场效应管
•2
要求
掌握场效应管的直流偏置电路及
分析；
场效应管放大器的微变等效电路
分析法。
•3
场效应管分类：
N沟道
JFET（耗尽型）
结型P沟道
FETN沟道
场效应管增强型
MOSFETP沟道
(IGFET)沟道
绝缘栅型耗尽型N
P沟道
•4
5.1金属－氧化物－
简称管，它有沟道
半导体MOSFETMOSN
和P沟道之分，其中每一类又可分为
（MOS）场效应管
增强型和耗尽型两种。
耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟
道，iD0。
增强型：当vGS＝0时，没有导电沟
道，iD＝0。
5.1.1N沟道增强型MOSFET
1．结构
SGD
金属铝
D
两个N区
NN
PG
型基底SiO2绝缘层
PS
导电沟道
N沟道增强型
壹贰叁
沟道耗尽型
NNS予GPD
埋
G了
导
S电
沟
D道
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