DB13T 1633-2012 太阳能级多晶硅片.docxVIP

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DB13

河北省地方标准DB13/T1633—2012

太阳能级多晶硅片

Thesolargradepolysiliconwafers

2012-09-28发布2012-10-15实施

河北省质量技术监督局发布

I

DB13/T1633—2012

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准的术语与相关标准协调一致。

本标准起草单位：英利集团有限公司。

本标准主要起草人员：高艳杰、王爱军、王亮。

1

DB13/T1633—2012

太阳能级多晶硅片

1范围

本标准规定了太阳能级多晶硅片的产品质量等级、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于太阳能级多晶硅片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本文件。

GB50034-2004建筑照明设计标准GB/T191包装储运图示标志

GB/T14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T12963硅多晶

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25074太阳能级多晶硅

3定义

GB/T14264界定的以及以下术语和定义适用于本文件。3.1

硅片厚度Waferthickness硅片中心点厚度。

3.2

总厚度变化TotalThicknessVariation（简称TTV）硅片厚度最大值与最小值之差。

3.3

角度RightAngle

四边形硅片相邻两边长之间的夹角大小。3.4

弯曲度Bendingdegree

多晶硅片扣置在水平面上，硅片内曲面与水平面间的最大距离。

2

DB13/T1633—20123.5

崩边EdgeChip

硅片边缘呈现的单面局部破损。一般用宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。

h

h

ah

a

h

a

a

a

a

h

h

ha

崩边或缺口

a宽度

h延伸度

图1崩边、缺口示意图

3.6

缺口Breakage

硅片边缘呈现贯穿正反两面的局部破损。一般宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。3.7

孔洞Hole

贯穿硅片正反两面的无规则、大小不等的小孔。3.8

锯痕Sawmarks

切割时在硅片表面留下的不规则上下凹凸的线状切割痕迹。3.9

亮线Brightline

硅片表面肉眼可分辨的亮度明显高于正常硅片表面颜色的轻微锯痕。3.10

划痕Scratch

在白炽灯或荧光灯下，肉眼明显可见的凹陷状划伤。3.11

微晶Micrograin

晶格外圆直径小于2mm且团聚个数超过10个/cm2的晶粒。

3

DB13/T1633—2012

3.12

杂质Impurity

硅锭中的团聚杂质在切割成硅片后，在表面形成的黑色密集斑点。4质量等级划分

质量等级分为优等品、一等品、二等品三个等级。

5质量等级要求

5.1氧碳含量

氧碳含量要求见表1。

表1氧碳含量要求

项目

优等品

一等品

二等品

氧含量O/（atoms/cm3)

O≤1.0

×1018

碳含量C/（atoms/cm3)

C≤8.0

×1017

5.2电学特性

电学特性要求见表2。

表2电学特性要求

项目

优等品

一等品

二等品

电阻率ρ/(Ω·cm）

0.5≤ρ≤4

少子寿命τ/μs

τ≥4（经抛光）

或

τ≥1.4（裸片）

2≤τ＜4（经抛光）或

1≤τ＜1.4（裸片）

1≤τ＜2（经抛光）或

0.7≤τ＜1（裸片）

5.3几何尺寸偏差

5.3.1边长偏差

边长偏差要求见表3。

表3边长偏差要求

边长标称值L/mm

边长偏差Δa/mm

优等品

一等品

二等品

L≤80

|Δa|≤0.2

0.2＜|Δa|≤0.4

0.4＜|Δa|≤0.6

80＜L≤200

|Δa|≤0.3

0.3＜|Δa|≤0.5

0.5＜|Δa|≤0.8

L＞200

|Δa|≤0.4