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（二）模拟电子技术部分

1半导体器件(讲课4学时，共2次课)

课题名称

1次课：二极管和稳压管

（章节题目）

1、了解二极管和稳压管的结构、工作原理;

教学目的

2、掌握特性曲线、主要参数和应用;

和要求

3、理解PN结的单向导电性。

教学重点重点：掌握主要特性、主要参数的含义，掌握各元件的应用。

和难点难点：PN结的单向导电性。

教学方式多媒体或胶片投影或传统方法

一、复习提问、导入新课

回顾接触过的半导体知识

二、讲授新课

1、半导体的导电特性

2、半导体二极管

三、总结

教

本次课应着重掌握和理解以下几个问题：

学1、半导体的导电性受外界条件的影响特别是温度和光照，利

用这些特点可以制造许多元件，但是也给半导体器件工作的

稳定带来影响。

过2、PN结具有单向导电性，加正向电压导通可以通过很大的

正向电流。加反向电压截止仅有很小的反向电流通过。

程

9.1半导体的导电特性

1、物质按导电性分类：

（1）导体：金属

（2）绝缘体：橡胶、塑料、陶瓷等

（3）半导体：硅、锗、一些流化物、氧化物

2、载流子

（1）自由电子

（2）空穴

3、本征半导体（纯净99.99999%）

（1）将元素的原子排列整齐时的结构（单晶体与多晶体）

（2）原子核外层的电子：价电子决定化学性质（Si+4价、Ge+4价）

（3）稳定时共价健中的价电子不能成为自由电子，受外界激发（光照、加热）

①挣脱束缚：形成自由电子并在原共价键中留下空位（即空穴）

①填补空位：自由电子与穴同时消失（即复合）

4、掺杂半导体

（1）硅（锗）晶体内掺入少量的五价元素（磷、锑）

①多子（主要导电的载粒子）：自由电子

①少子：空穴（热激发形成）

主要导电方式取决于多子，称电子型或N型半导体

（2）硅（锗）晶体内掺入少量的三价元素（硼、铝）

①多子：空穴

①少子：自由电子（热激发形成）

导电方式取决于多子（空穴）称空穴型或P型半导体

5、半导体特性

（1）热敏性：温度敏感元件（热敏电阻）

（2）光敏性：光敏元件（光敏电阻、二极管、三极管、电池）

（3）掺杂性

6、PN结及单向导电性

（1）PN结的形成

①扩散

①漂移

①动态平衡

（2）单向导电性

①PN结加正向电压（正偏置）

高电位端P区

低电位端N区

E外与E内方向相反，削弱内电场，空间电

荷区变薄，多子的扩散加强，形成扩散电

流（I正）；E外越大，I正越大（PN结导通，

呈低阻状态）。

①PN结加反向电压（反偏置）

高位端N区

低位端P区

E外与E内方向相同，增强内电场，空间电荷区变宽，少子的漂移运动加强，形成漂移电流

（I反）。少子数量少且与温度有关，故I反小且与温度有关而与E外无关（PN结截止，呈高

阻状态）

9.2半导体二极管

1、结构

（1）点接触：PN结面积小，极间电容小，小电流（高频检波、脉冲数字电路中的开头元件）

（2）面接触：PN结面积大，胡间电容大，电流大（整流）

2、符号

阳（+）阴（-）

3、伏安特性

I=f（U）

（1）正向特性

①死区电压

硅管：0.5V

锗管：0.1V

①工作电压（正向导通区）

硅管：0.7V

锗管：0.3V

（2）反向特性

①反向饱和电流

硅管：纳安级

锗管：微安级

因少子数量小，故I反小