模拟电路技术基础 教案 1.2 PN结的形成及特性（教案）.doc

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1.2PN结的形成及特性教案

课题名称

PN结的形成及特性

所属科目

模拟电路

教学对象

中职电子技术应用专业班

同步教材

模拟电路技术基础

课型

?新授￡复习

教材主编

欧小东

课程性质

?理论教学￡实践教学

授课时间

年月日

授课教师

计划课时

1课时

教学目标：了解PN结的形成过程；掌握PN结的单向导电性。

教学重点：PN结的形成过程，PN结的单向导电性。

教学难点：理解并熟练掌握PN结的单向导电性的内容。

教学过程

批注

任务1.2PN结的形成及特性

PN结的形成过程

在一块完整的晶片上，通过掺杂工艺，可以一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体。在P型和N型半导体结合面的两侧会因物理过程形成一个特殊的带电薄层，这个带电薄层称为PN结。

1.1扩散运动建立内电场

半导体的多数载流子必将从浓度高的区域向浓度低的区域运动，即P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散，这种多数载流子因浓度上的差异而形成的定向运动称为扩散运动。如图1-5（a）所示。

扩散的结果是在交界的两侧形成了一个空间电荷区，即PN结，又称耗尽层，如图1-5（b）所示。空间电荷区中的正、负离子层形成一个空间电场，称为内电场。空间电荷区以外的P区和N区仍是电中性的。

1.2内电场对载流子的作用

（1）阻碍多数载流子继续扩散。

内电场因多数载流子的扩散运动而形成，但扩散运动的方向与内电场的方向相反，因此内电场的建立反过来会阻碍多数载流子继续扩散，从而阻碍空间电荷区进一步变厚，如图1-6（a）所示。

（2）帮助少数载流子漂移。

少数载流子在内电场作用下的定向运动称为漂移运动。因为漂移运动的方向与内电场对少数载流子的作用力的方向一致，所以内电场会帮助少数载流子漂移，使空间电荷区进一步变薄，如图1-6（b）所示。

综上所述，PN结同时存在多数载流子的扩散电流和少数载流子的漂移电流。

（3）PN结的形成过程。

PN结的内电场阻碍多数载流子继续扩散，使扩散电流不断减小；帮助少数载流子加强漂移，使漂移电流不断增大。当处于动态平衡状态时，PN结便形成了。

2．PN结的单向导电性

2.1PN结正向偏置

在PN结两端外加电压，称给PN结加偏置。当给PN结的P端接高电位、N端接低电位时，称PN结外加正向电压或PN结正向偏置，简称正偏，如图1-7（a）所示。当PN结正向偏置时，正向电流I较大，PN结呈现的电阻较小，称PN结为导通状态。为防止PN结过流烧毁，电路中必须串接限流电阻R。

2.2PN结反向偏置

当给PN结的P端接低电位、N端接高电位时，称PN结外加反向电压或PN结反向偏置，简称反偏，如图1-7（b）所示。当PN结反向偏置时，反向电流I极小，PN结呈现的电阻很大，几乎不导电，称PN结为截止状态。在反向偏压大于一定数值且小于反向击穿电压数值的范围内，反向电流基本保持不变，因而又称反向电流为反向饱和电流。反向电流受温度的影响很大，温度越高，反向电流越大。

结论：PN结正向偏置时导通、反向偏置时截止的特性称为PN结的单向导电性。

应知应会

知识小结

（1）半导体中的载流子有扩散和漂移两种运动方式。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，少数载流子在内电场作用下的定向运动称为漂移运动。

（2）PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管、可控硅和半导体集成电路等元器件的基础，其最基本的特性是单向导电性。

（3）PN结的单向导电性是指PN结正向偏置时处于导通状态、反向偏置时处于截止状态。

课后作业：见1.7中同步练习题

一、填空题3；

二、判断题4；

三、单项选择题2、3、4；

四、简答题2。

课后记要：