半导体制造技术智慧树知到答案2024年上海工程技术大学 .pdfVIP

半导体制造技术上海工程技术大学智慧树知到答案2024年

第一章测试

1.摩尔定律“”是（）提出的？

A:1960B:1958年C:1965年D:1970年

答案:C

2.第一个晶体管是（）材料晶体管？

A:硅B:锗C:碳

答案:B

3.戈登摩尔是（）科学家。

A:德国B:法国C:美国D:英国

答案:C

4.第一个集成电路在（）被研制。

A:1958B:1955C:1965D:1960

答案:A

5.（）被称为中国芯片之父“”。1、

A:邓中翰B:吴德馨C:许居衍D:沈绪榜

答案:A

第二章测试

1.硅在地壳中的储量为（）。

A:第一B:第四C:第二D:第三

答案:C

2.脱氧后的沙子主要以（）的形式。

A:二氧化硅B:碳化硅C:硅

答案:A

3.半导体级硅的纯度（）。

A:99.9999999％B:99.999999％C:99.999％D:99.99999％

答案:A

4.西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。（）

A:错B:对

答案:A

5.一片硅片只有一个定位边。（）

A:对B:错

答案:B

6.晶面指数（m1m2m3）：m1、m2、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距

的倒数。（）

A:对B:错

答案:A

第三章测试

1.通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（）

A:对B:错

答案:A

2.热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。（）

A:对B:错

答案:A

3.二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。（）

A:对B:错

答案:A

4.薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:错B:对

答案:A

5.电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变

的。（）

A:错B:对

答案:A

第四章测试

1.光刻本质上是光刻胶的光化学反应。（）

A:错B:对

答案:B

2.一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。（）

A:错B:对

答案:A

3.使用正胶进行光刻时，晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。（）

A:对B:错

答案:A

4.使用负胶进行光刻时，晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。（）

A:对B:错

答案:A

5.正性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

A:错B:对

答案:B

6.负性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

A:错B:对

答案:A

第五章测试

1.刻蚀是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。（）

A:对B:错

答案:B

2.湿法刻蚀是各向同性腐蚀。（）

A:错B:对

答案:B

3.干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。（）

A:对B:错

答案:A

4.选择比指在不同刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。

（）

A:对B:错

答案:B

5.同一晶体不同晶面的原子键密度不一样，导致刻蚀速率不一样。（）

A:错B:对

答案:B

第六章测试

1.杂质掺杂只能改变半导体的类型，不能改变其电阻率。（）

A:对B:错

答案:B

2.扩散是一种人为现象，是微观粒子热运动的形式，结果使