现代半导体器件及先进制造知到课后答案智慧树章节测试答案2025年春浙江大学.docxVIP

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现代半导体器件及先进制造知到课后答案智慧树章节测试答案2025年春浙江大学

第一章单元测试

本征硅的费米能级位于：（）

B:略偏向

C:略偏向

答案:略偏向

硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）

A:电子浓度大于空穴浓度

B:与磷掺杂硅的导电类型一致

C:空穴浓度大于电子浓度

D:硅的晶体结构将发生改变

答案:空穴浓度大于电子浓度

抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。

A:衬底表面沉积非晶薄膜

B:倾斜衬底

C:降低离子注入能量

D:升高衬底温度

答案:衬底表面沉积非晶薄膜

###倾斜衬底

###升高衬底温度

制造单晶硅衬底的方法包括（）。

A:外延生长

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