原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
;;;满足划片、压焊等封装工艺的要求；
去掉晶圆背面的氧化物，保证芯片粘接时良好的黏结性；
消除晶圆背面的扩散层，防止寄生结的存在；
减少串联电阻和提高散热性能，同时改善欧姆接触。;散热效率显著提高，随着芯片结构越来越复杂，集成度越来越高，晶体管数量急剧增加，散热已逐渐称为影响芯片性能和寿命的关键因素。薄的芯片更有利于热量从衬底导出。
减小芯片封装体积。微电子产品日益向轻薄短小的方向发展，厚度的减小也相应地减小了芯片体积。
减少芯片内部应力。芯片厚度越厚芯片工作过程中由于热量的产生，使得芯片背面产生内应力。芯片热量升高，基体层之间的热差异性加剧，加大了芯片内应力，较大的内应力使芯片产生破裂。
提高电气性能。晶圆厚度越薄背面镀金使地平面越近，器件高频性能越好。
提高划片加工成品率。减薄硅片可以减轻封装划片时的加工量，避免划片中产生崩边、崩角等缺陷，降低芯片破损概率等。;通常要求晶圆厚度80um-300um
功率MOSFET最小的的厚度可以达到15um
晶圆的粗糙度一般在5~20nm
晶圆的平整度：±3um;目前，硅片的背面减薄技术主要有磨削、研磨、化学机械抛光、干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子辅助化学腐蚀、常压等离子腐蚀等。;TAIKO（太鼓）工艺
TAIKO工艺是增加硅片研磨后抗应力作用机械强度的一种方法。在此工艺中对晶片进行研削时，将保留晶片外围的边缘部分（约3mm），只对圆内进行研削薄型化。通过导入这项技术，可实现降低薄型晶片的搬运风险和减少翘曲的作用;设备;工艺检测设备;工艺检测设备;来料整理;晶圆减薄的质量要求
1）晶圆完整性（无破损）
2）晶圆厚度精度及超薄化能力要求
3）晶圆表面VVT值要求
4）晶圆表面粗糙度要求
5）晶圆表面损伤层厚度（SSD）要求
6）晶圆厚度一致性要求;自学任务：
1）自学晶圆减薄机的操作步骤和操作注意事项
2）参考资料：教科书52页~53页或者网络
3）每个人在作业本上书写完成“晶圆减薄操作注意事项”，注意要写学号和姓名
4）完成时间：20分钟
6）提交形式：拍照发到课程群;;;
文档评论（0）