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半导体基础知识《汽车电工电子基础》授课教师：江润莲

自然界物质分类金属导体的电阻率一般在10-5.cm量级；绝缘体如塑料、云母等的电阻率通常是1022~1014.cm量级；半导体的电阻率则在109~10-2.cm量级。半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的

半导体材料特性光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强。半导体材料的独特性能是由其内部导电机理决定的。

123本征半导体PN结杂质半导体

1本征半导体

1.本征半导体

最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，即每个原子最外层电子数为4个。++Si(硅原子)Ge(锗原子)Si+4Ge+4因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子核只用带圈的+4符号表示即可。天然硅和锗不能制成半导体器件的。必须先经过高度提纯，形成晶格结构完全对称的本征半导体。

本征半导体原子核最外层的价电子都是4个，称为四价元素，它们排列成非常整齐的晶格结构。实际上半导体的晶格结构是三维的＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4晶格结构共价键结构在本征半导体的晶格结构中，每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构。1.本征半导体

1.本征半导体＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。在游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此本征半导体的某原子电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。＋＋

1.本征半导体＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使失电子的原子重新恢复电中性。价电子填补空穴的现象称为复合。此时整个晶体带电吗？为什么？参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称空穴运动。

1.本征半导体半导体的导电机理与金属导体导电机理的本质区别：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由电子和空穴的运动方向相反。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4自由电子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。半导体内部的这两种运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。半导体的导电机理

2杂质半导体

2.杂质半导体在硅(或锗)的晶体中掺入磷(或其他的五价元素)时，只是某些位置上的硅(或锗)原子被磷原子所取代，磷原子参加共价键结构只需四个价电子，多余的第五个电子很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。①N型半导体自由电子数目大大增加，这种半导体主要以自由电子导电为主，故N型半导体被称为电子半导体。在N型半导体中，自由电子是多数载流子，而空穴则是少数载流子多余自由电子

2.杂质半导体在硅晶体中掺入少量硼。每个硼原子只有三个价电子，在构成共价键时，缺少一个电子而产生一个空位(空穴)，当相邻原子中的价电子受激发时，就有可能填补这个空穴，而在该相邻原子中出现一个空穴，每个硼原子能提供一个空穴，于是在半导体中就出现了大量空穴。②P型半导体这种半导体以空穴导电为主，称为P型半导体或空穴半导体。在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

2.杂质半导体②P型半导体注意：不论N型或P型半导体，它们都会有一种载流子占多数，但是整个晶体还是中性的。①N型半导体

3PN结

3.PN结少子的漂移运动空间电荷区称为PN结①PN结的形成多子的扩散运动内电场浓度差PN内电场越强漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄扩散的结果使空间电荷区变宽扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－