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02年期末试卷

一

1空穴

2杂质散射

3强场效应受主

4迁移率

5Schottky势垒

6热点导

二问答

1简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

2深能级杂质和浅能级杂质对有何影响？

3漂移和扩散有什么不同？

4金属接触是否实现少子注入？为什么？

三证明

t

−

()τ

Δpt=Δpe

证明非平衡载流子的满足0，并说明式中各项的

意义。

四计算

10-316-

1若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×10cm和6.8×10cm

3，试分别求出其中的空穴的浓度和能级的相对位置，并判断样

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品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×10cm的受主杂

质，这两块样品的导电类型又将怎样？

2试根据能带图定性分析金属-n型形成良好欧姆接触的。