第三代半导体微纳米金属烧结技术 术语（征求意见稿）编制说明.pdfVIP

团体标准

T/CASA017《第三代半导体微纳米金属烧结

技术术语(征求意见稿)》

编制说明

2021年8月

第三代半导体微纳米金属烧结技术术语（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1.任务来源

2021年6月4日，深圳第三代半导体研究院联合有研粉末新材料股份有限公司、北京

康普锡威科技有限公司、上海贺利氏工业技术材料有限公司、广东工业大学等单位向第三代

半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）秘书处（以下简称CASAS秘书处）

提交了“第三代半导体微纳米金属烧结技术术语”团体标准的《CASAS标准项目建议表》，

提出立项建议。

该建议通过了CASAS管理委员会投票，CASAS秘书处于6月21日正式发布立项通知，

并分配团体标准号：T/CASA017。

2.标准制定的意义

第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（硅、锗）、第二代半导体（砷

化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、

击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，第三代半导体器

件（光电子器件、功率器件、射频器件）在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能

源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，

与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点发挥

重要作用，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

随着宽禁带半导体器件的出现、日趋成熟及商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速

推动器件结温从目前的150℃迈向175℃、甚至200℃发展。结温的不断提高对封装互连技术

提出了更高要求和新的挑战。近年来，新型微纳米金属烧结互连技术凭借其组分单一、低工

艺温度、高服役温度等优点，逐渐成为宽禁带半导体模块封装最重要的连接技术之一。

然而，目前微纳金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，关于微纳金属烧结材料、烧结工

艺、烧结连接件性能和可靠性等关键环节的术语，业内尚无统一标准，这给从业人员的技术

交流、产品验证和质量评估造成了一定的困难。因此，有必要根据实际需求，制定术语标准

以规范该行业的专业和技术用语，对后续从事该项技术开发的企业单位也有一定的指导价值。

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3.编制过程

基于对第三代半导体微纳米金属烧结技术的产业化前景，自2020年10月起，预提案单

位深圳第三代半导体研究院、上海贺利氏、有研粉末新材料、北京康普锡威等单位讨论确定

启动标准制定的准备工作，一致认同第三代半导体微纳米金属烧结技术术语标准制定的必要

性、以及可行性；并于2020年12月、2021年2月讨论、修改完善标准提案所需材料：项

目建议表、标准草案。

2021年4月23日，来自深圳第三代半导体研究院、上海贺利氏、有研粉末新材料、北

京康普锡威、国家纳米中心等单位的专家老师，在北京举行标准预提案讨论会，深圳第三代

半导体研究院代表刘旭博士介绍了标准制定背景、制定目的、以及初步方案。会议经过讨论，

达成一致意见以术语标准为第一优先，其次开展几个关键参数测试方法的标准；经5月11

日腾讯会议讨论标准草案并修改后，向CASAS秘书处提交了《CASAS标准项目建议表》。

2021年6月4日，根据CASAS管理办法等管理文件，CASAS秘书处开展该项标准立

项的程序性工作；于6月21日，经CASAS管理委员会投票通过，T/CASA017-202X《第

三代半导体微纳米金属烧结技术术语》团体标准立项。

2021年6月28日，组建起草组，起草组成员包括：深圳第三代半导体研究院、上海贺

利氏、有研粉末新材料、北京康普锡威、国家纳米中心、工业和信息化部电子第五研究所、

中国科学院微电子所、香港应用科技研究院、鸿利智汇集团股份有限公司、复旦大学、BO

SCHMANTECHNOLOGIESB.V.、哈尔滨理工大学、上海蔚兰驱动科技有限公司等。

2021年7月21日，起草组召开