安森美半导体ESD保护器件NUP4012PXV6-D 数据手册.pdf

安森美半导体ESD保护器件NUP4012PXV6-D 数据手册.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

NUP4012PXV6

QuadTransientVoltage

SuppressorArray

ESDProtectionDiodeswithUltra−Low

(0.7pF)Capacitance

Thefour−linevoltagetransientsuppressorarrayisdesignedtoprotect

voltage−sensitivecomponentsthatrequireultra−lowcapacitancefrom

16

ESDandtransientvoltageevents.Thisdevicefeaturesacommonanode

designwhichprotectsfourindependentdatalinesinasingleSOT−563

lowprofilepackage.25

Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfast

responsetimemakethesepartsidealforESDprotectionondesigns34

whereboardspaceisatapremium.Becauseofitslowcapacitance,itis

suitedforuseinhighfrequencydesigns.

Features

•LowCapacitance(0.7pFTypical)

•ProtectsuptoFourDataLinesSOT−563

•SOT−5631.6mmx1.6mmCASE463A

•LowProfileof0.55mmforSlimDesignUltra

•D,D,D,andDPins=5.2VMinimumProtection

1234

•ESDRating:IEC61000−4−2:Level4MARKINGDIAGRAM

•ThisisaPb−FreeDevice

P7M

TypicalApplications

•USB2.0High−SpeedInterface

•CellPhonesP7=

文档评论(0)

说明书资料库 + 关注
实名认证
内容提供者

说明书有多个型号,找不到时可查相近型号。可代找,私信联系。

版权声明书
用户编号:7105131051000023

1亿VIP精品文档

相关文档