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氮化镓功率器件：特性、应用与前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域的持续演进中，功率器件作为核心元件，对电子设备的性能起着决定性作用。从早期电子管到晶体管，再到如今的集成电路，功率器件不断革新，推动着电子产业的飞速发展。然而，传统硅基功率器件逐渐逼近其物理极限，难以满足日益增长的高效能、小型化需求。在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料功率器件崭露头角，成为学术界和产业界共同关注的焦点。

氮化镓作为宽禁带半导体材料，具备诸多卓越的物理特性。其禁带宽度高达3.4电子伏特，是硅的约3倍，这使得氮化镓器件能够在更高的电压和温度下稳定工作，极大地拓展了应