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一、本征半导体;半导体—;复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。;1、N型半导体;;一、PN结的形成;1、载流子的浓度差引起多子的扩散;1、加正向电压(正向偏置)导通;一、基本结构、分类;构成：;各种二极管的实物照片;二、伏安特性;三、主要参数;1.整流;;稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。;2.光电二极管（光敏二极管）;工作条件：正向偏置;一、基本结构;晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。;;(一)、晶体管放大的条件;;2.晶体管内部载流子的运动规律;1.输入特性;2.输出特性;;1、共发射极电流放大系数;2、极间反向电流;3、极限参数;;一、基本结构;特点：场效应管具有高输入阻抗、低噪声、良好的热稳定性、较强的抗辐射能力、耗电少等优点。;一、基本结构;场效应管的图形符号;图8-27导电沟道的形成;如果栅源电压变化，会使漏源之间的电流变化。由于SiO2绝缘层极薄，所以在栅极和衬底之间只要加很小的电压就会使沟道有很大的变化。也就是能使漏源之间的电流有很大的变化。;当栅源之间负电压达某一值时，导电沟道消失，漏源之间电流为零，这个电压称为耗尽型MOS管的夹断电压。;小结;1．在纯净半导体硅或锗的晶体中掺入微量的五价元素，可得到N型半导体．其中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子；如掺入微量的三价元素，则得到P型半导体，其中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。;3.晶体管有NPN和PNP两种基本类型，它们都有三个区(发射区、基区、集电区)，两个PN结(发射结、集电结)和三个电极(发射极、基极、集电极)。电极分别用E、B、C表示。;晶体管三种工作状态：饱和、截止、放大。;谢谢！
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