宏盛微半导体AGM500P10AP VER2.66.pdf

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2025-04-30 发布于广东
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AGM500P10AP

●GeneralDescription

TheAGM500P10APcombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistancepackageProductSummary

toprovideextremelylowRDS(ON).

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

protectionapplications.BVDSSRDSONID

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology-100V455mΩ-8.1A

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

PDFN3.3*3.3PinConfiguration

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM500P10APAGM500P10APPDFN3.3*3.3330mm12mm5000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）-100V

VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V

DrainCurrent-Continuous(Tc=25℃)(Note1)-8.1A

DrainCurrent-Continuous

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