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金属化薄膜电容器生产技术的几点思考

常州天达电子（2010.06）

金属化薄膜电容器是电子整机和电器、电力设备必不可少的基础元件。随着电子、电力工业和

信息化技术的高速度发展，特别是近几年来节能环保、低碳减排技术的发展和绿色能源的开发（节

能光源、风力发电、太阳能利用、洋流和潮汐能发电等）对金属化薄膜电容器的需求量愈来愈大。

高科技的应用和发展对金属化薄膜电容器的品种、技术性能、可靠性水平、结构形状、几何尺

寸及使用安全性提出了愈来愈苛刻的要求。

同时，金属化薄膜电容器生产技术的不断改进（材料、加工技术、制造手段、试验技术）和产

品设计结构的变革，大大拓宽了金属化薄膜电容器的应用领域，推动了金属化电容器制造业如火如

荼的发展。

金属化电容器已成为电容器门类中最充满生机的产品种群。

从市场应用来看，金属化电容器主要面临的技术切入点是高压、高频、高温、高比率特性、高

可靠和大电流、大功率。

本文就金属化薄膜电容器的试验、测试技术提出几个值得思考的问题。

一、金属化电容器的耐流特性

电容器的耐电流冲击特性一般用电压上升速率(dv/dt)和脉冲特性(K0)来表征。这两个技术指标

一般在产品的技术规范书中给出。

1.电压上升速率(dv/dt)给出了电容器在一定电压、频率和脉冲波形下能可靠工作时所能承受的

最大瞬态冲击电流Ipmax。

ICdv

pmaxdt

IpmaxA（最大瞬态电流）

CμF（有效容量）

dv/dtV/μs（脉冲上升速率）

2.电容器的脉冲特性K0可理解为给定脉冲波形下电容器贮能的大小。



2

dv

K2dt

0dt

0

2

K0V/μs（脉冲特性）

τ脉冲宽度

电容器在工作电路中完成瞬间充放电时(特别是高频脉冲电路中)其电极端面的瞬间电流密度较

大，如电容器的脉冲上升速率（dv/dt）较小，端面因桥接电阻产生的阻态功率损耗使薄膜横向热收

缩，导致电容器开路或局部开路（表现为tgδ急剧增大。）严重时这种热积聚破坏了边缘抗电绝缘，

导致边缘热击穿（表面击穿）。

所以电压上升速率(dv/dt)已是评定电容器性能优劣的一个重要技术指标。它直接反证了产品结

构、设计、选材、工艺方法、过程控制等的合理性。

由于dv/dt是高频脉冲下的一个波形参数，无法用仪表直接数显读出。一般是模拟电容器可能的

应力环境（电应力、温度应力），在一个特定系统中产品在一定温度下、对产品施加一定电压的高频

1

脉冲，电容器的热平衡不被破坏时用高频记忆示波器捕捉高频高压脉冲的波形。在其上升沿（或下

降沿）选取较为线性的部分，从而求出△v/△t(即dv/dt)。△取得愈小，愈接近真实的dv/dt值。

为了考量产品的耐电流能力，在产品测试时也可接入一组dv/dt测试单元，给产品施加一定电压

的高频脉冲（电压、频率可调），通过产品的tgδ变化来剔除有内在缺陷的产品。

二、金属化电容器（包括膜箔复合结构高压电容器）高频电流特性的测试

金属化薄膜电容器在高频电路中应用广泛，如金属化聚酯膜电容器常用于隔直、耦合、退耦、

旁路、车用低压干扰抑制、节能光源，金属化聚丙烯膜电容器常用于功率因数校正，膜箔复合结构

中高压聚丙烯膜电容器及双面金属