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第四讲第四讲
•半导体的材料特性半导体的材料特性
–硅的晶体结构硅的晶体结构
–硅中杂质及掺杂
•器件技术
–集成电路中的无源器件
–PNPN结结
–三极管三极管
–MOS管
硅的晶体结构硅的晶体结构
•晶体：原子、分子或离子在三维空间按一定规则作周期重复性排列
•晶格：晶体中的周期性结构
单晶体（singlecrystal）：单一的晶格连续组成
多晶体（poly-）：小晶粒无规则堆积
无定形（amorphous）:
•晶胞：最大限度反映晶体对称性质的最小单元
•晶格常数：晶胞的边长
•晶向：一族晶列的方向；以晶胞为基础来标志晶向，以〈m,
m,
12
m3〉表示晶向指数，m表示基矢数
晶列：晶格中的原子、分子或离子总可被看作处于一系列方向相
同的平行直线系上
•晶面：晶格中的原格中的原子、分子或离离子总总可被看作被看作处于一系系列彼此彼此平行
的平面系上；以(1/h,
1/h,
1/h)
表示晶面指数，h表示截距
123
立方晶系的晶胞立方晶系的晶胞
•简立方简立方
simpple
cubic
••体心立方体心立方
body‐centered
cubic
•面心立方面心立方
face‐centered
cubic
金刚石结构（共价四面体）
•硅硅、锗单晶体具有金刚锗单晶体具有金刚石结构的晶格结构的晶格
•面心立方晶格沿体对角线平移面心立方晶格沿体对角线平移1/41/4体对角线体对角线
长度的距离，与原来面心立方晶格构成金
刚石晶体结构刚石晶体结构。。
•正四面体：靠近顶角的晶格原子与周围最
近的四个原子形成共价键近的四个原子形成共价键，这四个原子到这四个原子到
其中原子的距离相等，各原子与内部原子
所成键的夹角相等所成键的夹角相等（（109º109º
2828‘）），形成正四形成正四
面体的结构。
硅的晶胞
硅的晶格常数硅的晶格常数＝55.431431ÅÅ
硅的原子密度＝5×1022原子/立方厘米？
•晶格常数晶格常数:
SiSi
a=55.4343
ÅÅ
GGe
a=55.6464
ÅÅ
•硅的原子密度:（8×1/8＋6×1/2＋4）/a3
=
8//a33
=
5×102222
//cm33
锗的原子密度锗的原子密度::
4.424.42×101022
/cm/cm3
••键角键角::109109ºº2828’
•最小原子间距最小原子间距:3311//22a//44
硅晶体内部空隙硅晶体内部空隙
•硬球半径:r＝最小原子间距/2～1.17Å（Si）
33
•空间利用率:8×4/3πr/a～0.34
（（可见晶体中大部分是空的可见晶体中大部分是空的，一些间隙原子可些间隙原子可
存在于晶体中，并容易在晶体中运动）
硅的晶向和晶面
•晶向：〈100〉，〈110〉，〈111〉，……
•晶面晶面：（100），（110），（111），……
•晶体的许多性质与晶向晶体的许多性质与晶向、晶面有关晶面有关
•硅晶向上的原子线密度硅晶向上的原子线密度？
–〈〈100〉〉
–〈110〉
–〈〈111111〉〉
•硅晶面上的原子面密度？
–（100）
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