碳化硅功率器件发展路线及产业化进程-2025-04-技术资料.pptx

碳化硅功率器件现状及发展趋势;;

5G基站–通信电源充电桩–电源模块数据中心–服务器电源特高压–直流断路器城际高铁–牵引变流器;

n全球新能源汽车市占率逐年攀升：1.3%（2017）8.3%（2021）

n我国2021年新能源汽车产销量达到350万辆，2022年销量689万辆,市占率达25.6%

n全球光伏年装机量从99GW(2017)增长至183GW(2021)，CAGR17%;

–10x击穿场强1/300Ron

–3x禁带宽度极低的本征载流子浓度，耐高压、高温能力

–3x热导率散热能力提升、有助于提升功率密度

–SiC、GaN为代表的宽禁带半导体是实现高效率能量转换、小型化、低系统成本的更佳选择;

n新能源汽车绝对C位

n光、储、充第二梯队;;;

PlanarMOSFETTrenchMOSFET;

n1200VMOSFETRsp：2.3–2.8mΩ.cm2

n受工艺成熟的与稳定性影响，沟槽栅器件暂时并没有实现对平面栅结构的全面超越;

n德州工厂于2019年产能翻番，以满足不断增长的近期需求

n添加了外延生长能力;

政策文件;;;;

参数;;

SiCSBD–车规级可靠性（AEC-Q101）;

n2020.12：完成1200V/70mΩSiCMOSFET工程批；通过HTRB，HTGB可靠性验证

n2021.06：完成1200V/60mΩSiCMOSFET工程批；比导通电阻4.0mΩ·cm2

n2021.12：完成1200V/75mΩSiCMOSFET工程批；比导通电阻3.3mΩ·cm2

n2022.04：工艺平台通过车规级可靠性验证；完成1200V/14mΩSiCMOSFT产品开发

n2022.10：1200V/75mΩMOSFET通过AEC-Q101及HV-H3TRB可靠性验证

n2023Q2：Gen-IIMOSFET2.8mΩ·cm2@VGS=15V;

参数;;;;

Parameters;

Turn-off:VDS=800V,ID=800A,RG(off)=5.6Ω,Tj=25℃Turn-on:VDS=800V,ID=800A,RG(on)=5.1Ω,Tj=25℃;

SiCMOSFET–技术路线图;;

n随着新能源汽车、光伏、充电桩等应用对系统效率的不断追求，功率半导体市场将迎来前所未有的增速

nSiCMOSFET在多方面均表现出远超传统Si基器件的性能，有望在多个领域逐渐实现替代；可靠性与成本是商业化的核心

n新型器件结构、高沟道迁移率、超级结、SiC-IGBT、SiC-IC，是工业界乃至于学术界努力的方向

??谢！