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第18章半导体存储器与可编程逻辑器件

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概述

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半导体存储器具有集成度高、功耗小、存取速度快等优点

半导体存储器就是一种能够存放大量数据的集成电路

半导体存储器的分类：

随机存储器（RandomAccessMemory简称RAM)

只读存储器（Read-onlyMemory简称ROM)

1.随机存储器（RAM)

既能读出、写入数据，断电后不能保存数据

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RAM按照存储单元的结构类型分：

(1)静态RAM（StaticRAM，简称SRAM）

存储单元结构较复杂，集成度较低，但读写速度快。

(2)动态RAM（DynamicRAM，简称DRAM）

存储单元结构简单，集成度高，价格便宜，广泛地用于计算机中。

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2.只读存储器（ROM)

一般存入固定的数据，工作时只需读出所存的数据

按照ROM数据写入的方式，可分为：

(1)掩膜ROM

存储的数据是在集成电路厂确定的，用户无法更改

数据由用户自己写入，但只能写一次

(2)可编程ROM(ProgrammableROM简称PROM)

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(3)可擦除PROM（ErasablePROM简称EPROM)

数据可用紫外线擦除，用户可以多次改写其中存储的数据

(4)电可擦除EPROM（ElectricallyEPROM简称E2PROM)

用电可擦除存入的数据，使用起来更加方便

3.可编程逻辑器件(ProgrammableLogicalDevice，简称PLD)

PLD是一种半定制器件，可以由编程来确定其逻辑功能

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a.只读存储器

(1)低密度PLD

b.可编程逻辑阵列(ProgrammableLogicArray，简称PLA)

由可编程的与和或阵列组成，可以实现任意逻辑函数。

ROM是一种早期的PLD，由于结构的限制，它更适合于存储数据。

c.可编程阵列逻辑(ProgrammableArrayLogic，简称PAL)

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d.通用阵列逻辑(GeneticArrayLogic，简称GAL)

GAL是在PLA基础上发展起来的，它采用了E2CMOS工艺，实现了可改写；输出结构是可编程的逻辑宏单元，给逻辑设计带来很大的灵活性。

低密度PLD的主要特点：

集成度低，结构简单，仅能实现较小规模的逻辑电路

(2)高密度PLD

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20世纪80年代中期，又出现了新一代的高密度PLD，其集成密度一般可达数千门，甚至上万门，具有在系统可编程或现场可编程特性，可用于实现较大规模的逻辑电路。

把基于乘积项技术和Flash结构的高密度PLD称为复杂可编程逻辑器件CPLD，而把基于查找表技术和SRAM结构的高密度PLD称为现场可编程门阵列FPGA。

CPLD和FPGA统称为高密度可编程逻辑器件

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FPGA的主要特点：

(1)基于SRAM结构

(2)采用查表作为基本逻辑单元

(3)容量大，设计灵活

(4)每一次上电时要进行数据加载

密度和性能的持续提高、低廉的开发费用和快速的上市时间正在使设计人员转向FPGA

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在PLD(HDPLD)中，门电路的简化画法

国际上有关PLD的习惯画法

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