T_ZZB 2283-2021 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉.docxVIP

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团体标准

T/ZZB2283—2021

半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉

Ultra-highpuritygraphitepowderforsemiconductorsiliconcarbidecrystal

2021-08-26发布2021-09-26实施

浙江省品牌建设联合会发布

T/ZZB2283—2021

I

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4产品命名 1

5基本要求 1

6技术要求 2

7试验方法 3

8检验规则 3

9标识、包装、运输和贮存 4

10质量承诺 5

附录A（资料性）杂质元素 6

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II

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本文件由浙江省品牌建设联合会提出并归口管理。

本文件由浙江省标准化研究院牵头组织制定。

本文件主要起草单位：中钢新型材料股份有限公司。本文件参与起草单位：冶金工业信息标准研究院。

本文件主要起草人：杨辉、肖绍懿、姜阅、吴厚政、张逊熙、王晓远、朱东锋、徐建平、毛玉珍、刘升、潘小平、王鑫鑫、周童、汪彦龙。

本文件评审专家组长：徐海平。

本文件由浙江省标准化研究院负责解释。

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1

半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉

1范围

本文件规定了半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉的术语和定义、材料规格说明、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存、质量承诺。

本文件适用于纯度达到5N（99.999wt%）以上的半导体级碳化硅单晶用石墨粉。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件，不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T8170数值修约规则与极限数值表示和判定

GB/T8718炭素材料术语

GB/T8719炭素材料及其制品的包装、标志、储存、运输和质量证明书的一般规定GB/T19077粒度分析激光衍射法

GB/T19587气体吸附BET法测定固态物质比表面积JY/T0584扫描电子显微镜分析方法通则

YB/T5146高纯石墨制品灰分的测定

ISO/TS15338表面化学分析辉光放电质谱测定法操作规程（Surfacechemicalanalysis—Glowdischargemassspectrometry—Operatingprocedures）

3术语和定义

GB/T8718界定的术语和定义适用于本文件。

4产品命名

材料规格涵义如下所示，具体材料规格见表1。

CPNoN5

表示5N以上，即99.999wt%以上表示粒度D50时的粒度数值

表示粉体表示碳

5基本要求

5.1设计研发

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2

具备根据客户需求，优化设计提纯超高纯石墨粉产品的能力。

5.2原料

应采用灰分低于0.1%的天然石墨或人造石墨，原料的灰分检验方法符合YB/T5146的规定。

5.3工艺及装备

5.3.1原料经预提纯后，在高温下采用卤素气体完成石墨粉的提纯工艺。

5.3.2生产设备为高温纯化炉，最高温度可达2600℃以上。

5.4检验检测

5.4.1具备对原材料灰分，产品粒度、比表面积、杂质元素含量、微观形貌等项目进行检测能力。

5.4.2配备激光粒度仪、比表面积测试仪、辉光放电质谱仪、扫描电镜等检测仪器。

6技术要求

6.1粒度与比表面积

石墨粉的粒度及比表面积要求应符合表1规定。

表1粒度及比表面积要求

规格

粒度μm

比表面积（m2/g）

D50a

D100

CPN5N5

5±2

100±20

12.0±2.5

CPN29N5

29±5

120±20

3.5±0.7

CPN50N5

50±5

150±30

2.7±0.5

CPN180N5

180±20

700±50

1.2±0.3

a为限值要求，其它为参考值。

6.2杂质元素含量

石墨粉的杂质元素含量要求应符合表2规定