微电子器件（第5版）课件 陈勇 第4章 绝缘栅场效应晶体管.pptx

第4章绝缘栅场效应晶体管;;JFET和MESFET的工作原理相同。以JFET为例，用低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作PN结，并加上反向电压。利用PN结势垒区宽度随反向电压而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种FET的不同之处是，JFET利用PN结作为控制栅，而MESFET则是利用金-半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。;JFET的基本结构与工作原理;MESFET的基本结构与工作原理;绝缘栅场效应晶体管按其早期器件的纵向结构又被称为“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”，简称为MOSFET，但现在这种器件的栅电极实际不一定是金属，绝缘栅也不一定是氧化物，但仍被习惯地称为MOSFET。;MOSFET的立体结构;P型衬底;4.1.2MOSFET的工作原理;所以MOSFET是通过改变VGS来控制沟道的导电性，从而控制漏极电流ID，是一种电压控制型器件。;转移特性曲线：VDS恒定时的VGS~ID曲线。MOSFET的转移特性反映了栅源电压VGS对漏极电流ID的控制能力。;P沟道MOSFET的特性与N沟道MOSFET相对称，即

(1)衬底为N型，源漏区为P+型。

(2)VGS、VDS的极性以及ID的方向均与N沟道相反。

(3)沟道中的可动载流子为空穴。

(4)VT0时称为增强型（常关型），VT0时称为耗尽型（常开型）。;①线性区

VDS很小时，沟道近似为一个阻值与VDS无关的固定电阻，这时ID与VDS成线性关系，如图中的OA段所示。;②过渡区

随着VDS增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当VDS增大到VDsat(饱和漏源电压)时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被夹断，如图中的AB段所示。

线性区与过渡区统称为非饱和区，有时也统称为线性区。;③饱和区

当VDSVDsat后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时ID几乎与VDS无关而保持常数IDsat，曲线为水平直线，如图中的BC段所示。

实际上ID随VDS的增大而略有增大，曲线略向上翘。;④击穿区

当VDS继续增大到BVDS时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源间发生穿通，ID急剧增大，如图中的CD段所示。;将各曲线的夹断点用虚线连接起来，虚线左侧为非饱和区，虚线右侧为饱和区。;4种类型MOSFET的特性曲线小结;4.2MOSFET的阈电压;4.2.1MOS结构的阈电压;上图中，;上图中，?S称为表面势，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以q。;3、实际MOS结构当VG=VFB时的能带图

当时，可以使能带恢复为平带状态，这时?S=0，硅表面呈电中性。VFB称为平带电压。COX代表单位面积的栅氧化层电容，，TOX代表栅氧化层厚度。;4、实际MOS结构当VG=VT时的能带图

要使表面发生强反型，应使表面处的EF-EiS=q?FP，这时能带总的弯曲量是2q?FP，表面势为?S=?S,inv=2?FP。;外加栅电压超过VFB的部分（VG-VFB）称为有效栅电压。有效栅电压可分为两部分：降在氧化层上的VOX与降在硅表面附近的表面电势?S，即

VG–VFB=VOX+?S;上式中，QM和QS分别代表金属一侧的电荷面密度和半导体一侧的电荷面密度，而QS又是耗尽层电荷QA与反型层电荷Qn之和。;可得M