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常用半导体器件FET
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目录
01
FET的基本概念
02
FET的分类
03
FET的工作原理
04
FET的特性曲线
05
FET的应用
06
FET的历史发展
PART-01
FET的基本概念
FET定义
场效应晶体管的组成
FET由源极、漏极和控制电流的栅极组成，通过电场控制导电通道。
工作原理概述
FET利用栅极电压产生的电场来控制源极和漏极之间的电流，实现放大或开关功能。
FET与BJT的比较
FET具有高输入阻抗，而BJT的输入阻抗相对较低，这影响了它们在电路中的应用方式。
输入阻抗差异
FET通常具有更好的高频响应特性，适合高速和射频应用，而BJT在低频应用中表现更佳。
频率响应特性
FET是电压控制器件，BJT则是电流控制器件，这决定了它们在放大和开关应用中的不同优势。
电压控制与电流控制
FET的热稳定性较好，功耗较低，适合在高温环境下工作，而BJT在某些条件下可能需要额外的散热措施。
热稳定性与功耗
01
02
03
04
PART-02
FET的分类
按导电沟道划分
N沟道FET使用电子作为主要载流子，具有较高的电子迁移率，适用于高速开关应用。
N沟道FET
结型FET通过PN结形成导电沟道，具有较好的噪声性能，适用于低噪声放大器设计。
结型FET(JFET)
P沟道FET利用空穴作为载流子，其导电性能受温度影响较小，常用于模拟电路。
P沟道FET
按结构划分
结型场效应晶体管(JFET)
JFET是FET的一种，其结构中包含一个PN结，通过改变PN结的电压来控制导电沟道。
01
02
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
MOSFET是现代集成电路中最常用的FET类型，它利用金属栅极和氧化物绝缘层来控制沟道电流。
按工作原理划分
JFET通过改变栅极电压来控制源极和漏极间的电流，是FET的一种基本类型。
结型场效应晶体管(JFET)
HEMT通过异质结构来提高电子迁移率，用于高速和高频电子设备中。
高电子迁移率晶体管(HEMT)
MOSFET利用金属栅极和氧化物绝缘层来控制电流，广泛应用于集成电路中。
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
IGBT结合了MOSFET的输入特性和双极型晶体管的导电特性，常用于高压大电流应用。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
PART-03
FET的工作原理
结构与符号
FET由源极、漏极、栅极和半导体基板构成，栅极控制电流流动。
FET的基本结构
在电路图中，FET用特定符号表示，源极和漏极通常用直线表示，栅极用叉或点表示。
FET的符号表示
根据导电沟道类型，FET分为N沟道和P沟道，符号中会有所区分，如箭头方向。
FET的类型标识
工作区域
截止区
在截止区，FET的栅极电压低于阈值，导致沟道关闭，电流几乎为零。
饱和区
当栅极电压超过阈值，FET进入饱和区，沟道完全导通，电流随栅极电压线性增加。
操作点设定
通过设置合适的栅极电压和漏极电流，确定FET的静态工作点，以保证放大器稳定工作。
确定静态工作点
01
设计偏置电路以提供稳定的栅极电压和漏极电流，确保FET在最佳工作区域。
偏置电路设计
02
分析负载线以确定FET的输出特性，确保信号不失真且效率最大化。
负载线分析
03
采取温度补偿措施，以应对温度变化对FET操作点的影响，保持放大器性能稳定。
温度补偿措施
04
PART-04
FET的特性曲线
输出特性曲线
漏极电流随漏极电压增加而增加，但当电压超过一定值后，电流增长趋缓，形成饱和区。
漏极电流与漏极电压关系
01、
栅极电压的改变会移动输出特性曲线，正栅压使曲线向左移动，负栅压则向右移动。
栅极电压对输出曲线的影响
02、
转移特性曲线
转移特性曲线定义
转移特性曲线显示了FET的漏极电流ID与栅极电压VG之间的关系。
阈值电压识别
亚阈值斜率分析
亚阈值斜率反映了FET在关闭状态下的漏电流，是低功耗设计的重要考量。
曲线上的拐点代表FET的阈值电压VT，是开启器件的关键参数。
线性区与饱和区
转移曲线的不同斜率区域分别对应FET的线性区和饱和区，影响器件性能。
输入与输出关系
漏极电流ID随栅极电压VG变化，呈现非线性关系，影响FET的开关特性。
漏极电流与栅极电压
漏极电流ID随漏极电压VD增加而增加，但受栅极电压控制，体现FET的放大能力。
漏极电流与漏极电压
跨导gm描述了漏极电流对栅极电压变化的敏感度，是FET放大性能的关键指标。
跨导特性
PART-05
FET的应用
放大器设计
FET因其低噪声特性，常用于射频和微波放大器设计，如卫星通信接收机。
低噪声放大器
FET的高速开关特性使其适用于高频放大器设计，例如在无线网络设备中。
高速放大器
FET能够处理高功率信号，广泛应用于功率放大器设计，如移动
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